集成电路用直拉单晶硅力学性能
| 英文摘要 | 第3页 |
| 中文摘要 | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 文献综述 | 第9-42页 |
| 1．1 单晶硅的力学常数及相应性能 | 第10-11页 |
| 1．2 硅单晶的断裂 | 第11-29页 |
| 1．3 硅单晶的塑性变形 | 第29-38页 |
| 1．4 其它研究方法 | 第38-40页 |
| 1．5 展望 | 第40-42页 |
| 第2章 接触损伤 | 第42-60页 |
| 2．1 实验样品和实验设备 | 第42-44页 |
| 2．2 压痕及压痕裂纹特征 | 第44-50页 |
| 2．3 硅单晶的硬度 | 第50-57页 |
| 2．4 硅单晶断裂韧性 | 第57-58页 |
| 2．5 小结 | 第58-60页 |
| 第3章 单晶硅的断裂特性 | 第60-76页 |
| 3．1 实验样品和实验设备 | 第61-64页 |
| 3．2 室温抗弯强度及断口分析 | 第64-72页 |
| 3．3 高温抗弯测试 | 第72-75页 |
| 3．4 小结 | 第75-76页 |
| 第4章 硅单晶中位错与杂质的相互作用 | 第76-91页 |
| 4．1 样品与实验 | 第77-78页 |
| 4．2 硅中位错滑移花样及其滑移方式 | 第78-81页 |
| 4．3 压痕载荷对位错移动的影响 | 第81-82页 |
| 4．4 热处理时间对位错滑移距离的影响 | 第82-85页 |
| 4．5 温度与杂质对位错滑移的影响 | 第85-89页 |
| 4．6 位错运动速度与位错激活能 | 第89-90页 |
| 4．7 小结 | 第90-91页 |
| 第5章 缺陷诱生应力分布 | 第91-102页 |
| 5．1 样品及实验设备 | 第92页 |
| 5．2 热处理前后直拉硅单晶氧含量和翘曲度的变化 | 第92-96页 |
| 5．3 热处理前后硅片的应力分布 | 第96-100页 |
| 5．4 小结 | 第100-102页 |
| 第6章 结论 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-107页 |
| 附录：博士在读期间发表及待发表论文 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108页 |
