| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-30页 |
| 1.1 GaN及其异质结材料的研究背景和意义 | 第18-22页 |
| 1.2 常规GaN基HEMT的发展历程 | 第22-26页 |
| 1.3 AlInGaN/GaN异质结构的研究和背景 | 第26-28页 |
| 1.4 本文的研究工作和安排 | 第28-30页 |
| 第二章 GaN的外延生长系统及测试技术 | 第30-52页 |
| 2.1 GaN晶体外延生长技术 | 第30-34页 |
| 2.1.1 金属有机物化学气相淀积(MOCVD) | 第31页 |
| 2.1.2 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy: MBE) | 第31-32页 |
| 2.1.3 氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy: HVPE) | 第32-34页 |
| 2.2 MOCVD系统介绍 | 第34-37页 |
| 2.2.1 MOCVD法制备GaN晶体薄膜的生长机理与模式 | 第34-37页 |
| 2.2.2 西电MOCVD系统 | 第37页 |
| 2.3 半导体材料的测试和表征技术 | 第37-50页 |
| 2.3.1 X射线光电子谱(XPS) | 第37-39页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第39-41页 |
| 2.3.3 X射线衍射技术(XRD) | 第41-43页 |
| 2.3.4 电容-电压测试(C-V) | 第43-45页 |
| 2.3.5 范德堡霍尔测量(Hall) | 第45-49页 |
| 2.3.6 其他材料测试方法 | 第49-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第三章 AlInGaN四元合金材料的生长 | 第52-68页 |
| 3.1 研究背景 | 第52-54页 |
| 3.2 III族氮化物材料合金的不稳定混合区域 | 第54-56页 |
| 3.3 晶格匹配的Al In GaN四元合金材料 | 第56页 |
| 3.4 AlInGaN四元合金材料的生长 | 第56-67页 |
| 3.4.1 低温AlGaN/GaN结构的生长 | 第57-64页 |
| 3.4.2 AlInGaN四元合金材料的生长 | 第64-67页 |
| 3.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第四章 AlInGaN/AlGaN/Ga N异质结构的设计生长 | 第68-78页 |
| 4.1 研究背景 | 第68-69页 |
| 4.2 AlInGaN/AlGaN/GaN结构的生长 | 第69-71页 |
| 4.3 AlInGaN/AlGaN/GaN异质结构的XPS分析 | 第71-72页 |
| 4.4 AlInGaN/GaN异质结构的XRD和AFM分析 | 第72-76页 |
| 4.4.1 XRD分析 | 第73-74页 |
| 4.4.2 样品的AFM分析 | 第74-76页 |
| 4.5 Al InGaN/AlGaN/GaN异质结构电学特性 | 第76-77页 |
| 4.6 本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 结束语 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 作者简介 | 第90-91页 |
