| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 SiC同质外延厚度均匀性的影响因素——炉温 | 第15-16页 |
| 1.2 外延过程中炉温数据的统计过程控制 | 第16-17页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第17-18页 |
| 1.4 本文主要的研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 自相关工艺参数的统计过程控制 | 第19-29页 |
| 2.1 SPC控制图概述 | 第19-24页 |
| 2.1.1 常规控制图简介 | 第19-20页 |
| 2.1.2 常规控制图类型 | 第20-21页 |
| 2.1.3 常规控制图的局限性 | 第21页 |
| 2.1.4 半导体元器件生产中的应用到的新型控制图 | 第21-24页 |
| 2.2 自相关时间序列的拟合模型——ARMA模型 | 第24-28页 |
| 2.2.1 平稳时间序列 | 第24-25页 |
| 2.2.2 ARMA模型 | 第25-28页 |
| 2.2.3 模型识别 | 第28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 SiC同质外延炉温序列的控制图分析 | 第29-47页 |
| 3.1 自相关过程下常规控制图的局限性 | 第29-32页 |
| 3.1.1 自相关过程下常规控制图的错误使用 | 第29-31页 |
| 3.1.2 炉温序列的自相关检验 | 第31-32页 |
| 3.2 SiC同质外延过程的控制图分析 | 第32-43页 |
| 3.2.1 残差控制图的概念特性 | 第32-33页 |
| 3.2.2 炉温序列的残差控制图控制实例 | 第33-43页 |
| 3.3 SiC外延过程炉温序列的控制图性能分析 | 第43-45页 |
| 3.3.1 平均运行长度 | 第43页 |
| 3.3.2 常规控制图的平均运行长度 | 第43-44页 |
| 3.3.3 残差控制图的性能分析 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 SiC外延炉温序列建模方法改进及可行性验证 | 第47-61页 |
| 4.1 SiC同质外延炉温序列的ARMA模型建立算法实现 | 第47-53页 |
| 4.1.1 ARMA模型基本类型的确定 | 第47-49页 |
| 4.1.2 ARMA模型阶数的确定 | 第49-51页 |
| 4.1.3 ARMA模型参数的确定 | 第51-53页 |
| 4.2 MATLAB计算残差序列及残差序列的白噪声检验 | 第53-54页 |
| 4.3 MATLAB建模方法的可行性验证 | 第54-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 SiC外延炉温序列模型的最小数据量分析 | 第61-73页 |
| 5.1 模型建立所需最小数据量的概念 | 第61页 |
| 5.2 最小数据量问题的研究方法 | 第61-62页 |
| 5.3 不同类型的ARMA模型的最小数据量分析 | 第62-72页 |
| 5.3.1 一阶AR模型 | 第62-66页 |
| 5.3.2 二阶AR模型 | 第66-69页 |
| 5.3.3 一阶MA模型 | 第69-71页 |
| 5.3.4 ARMA(1,1)模型 | 第71-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 结论和展望 | 第73-77页 |
| 6.1 研究结论 | 第73-74页 |
| 6.2 研究展望 | 第74-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |
