| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-26页 |
| 1.1 SiC功率器件的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.2 SiC MESFET的发展状况及其优势 | 第21-24页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 4H-SiC MESFETs仿真工具及工作原理 | 第26-36页 |
| 2.1 SiC MESFET数值模拟工具ISE- TCAD | 第26-32页 |
| 2.1.1 ISE-TCAD工具的模拟流程 | 第26-28页 |
| 2.1.2 ISE-TCAD数值仿真中的基本方程 | 第28-30页 |
| 2.1.3 4H-SiC MESFET器件仿真中的模型和参数 | 第30-32页 |
| 2.2 SiC MESFETs的基本工作原理及分析 | 第32-34页 |
| 2.3 小结 | 第34-36页 |
| 第三章 沟道层对 4H-SiC MESFETs性能的影响 | 第36-48页 |
| 3.1 DR-MESFETs结构的性能研究 | 第36-40页 |
| 3.2 4H-SiC SRD-MESFETs的性能研究 | 第40-45页 |
| 3.3 小结 | 第45-48页 |
| 第四章 多凹陷源/漏漂移区 4H-SiC MESFETs特性的研究 | 第48-56页 |
| 4.1 MRD-MESFETs的结构 | 第48-49页 |
| 4.2 MRD-MESFETs的直流特性的研究 | 第49-51页 |
| 4.2.1 MRD-MESFETs漏极电流输出特性 | 第49-51页 |
| 4.2.2 MRD-MESFETs的击穿特性 | 第51页 |
| 4.3 MRD-MESFETs的小信号特性 | 第51-55页 |
| 4.4 小结 | 第55-56页 |
| 第五章 MRD-MESFETs器件参数的优化 | 第56-70页 |
| 5.1 L_(dr)对MRD-MESFETs性能的影响 | 第56-59页 |
| 5.1.1 L_(dr)对MRD-MESFETs直流性能的影响 | 第56-58页 |
| 5.1.2 L_(dr)对MRD-MESFETs电容的影响 | 第58-59页 |
| 5.2 L_(sr)对MRD-MESFETs性能的影响 | 第59-62页 |
| 5.2.1 L_(sr)对MRD-MESFETs直流性能的影响 | 第59-60页 |
| 5.2.2 L_(sr)对MRD-MESFETs电容的影响 | 第60-62页 |
| 5.3 t_d对MRD-MESFETs性能的影响 | 第62-64页 |
| 5.3.1 t_d对MRD-MESFETs直流性能的影响 | 第62-63页 |
| 5.3.2 t_d对MRD-MESFETs电容的影响 | 第63-64页 |
| 5.4 t_s对MRD-MESFETs性能的影响 | 第64-65页 |
| 5.4.1 t_s对MRD-MESFETs击穿特性的影响 | 第64页 |
| 5.4.2 t_s对MRD-MESFETs电容的影响 | 第64-65页 |
| 5.5 二次凹陷漂移区的位置对MRD-MESFETs性能的影响 | 第65-68页 |
| 5.5.1 MRRD-MESFETs击穿特性的研究 | 第66-67页 |
| 5.5.2 MRRD-MESFETs电容特性的研究 | 第67-68页 |
| 5.6 小结 | 第68-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 论文总结 | 第70-71页 |
| 6.2 研究展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 作者简介 | 第78-79页 |
