| 第一章 综述 | 第7-21页 |
| 1.1 引言 | 第7-12页 |
| 1.2 ZnO薄膜的用途 | 第12-14页 |
| 1.3 ZnO材料的基本特性 | 第14-15页 |
| 1.4 ZnO薄膜的生长方法 | 第15-17页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 生长ZnO的MOCVD反应系统与ZnO紫外探测器测试系统 | 第21-30页 |
| 2.1 技术简介 | 第21-22页 |
| 2.2 ZnO MOCVD生长源材料的选择 | 第22-24页 |
| 2.3 用于ZnO生长的等离子增强MOCVD反应系统 | 第24-26页 |
| 2.4 ZnO基紫外探测器测试系统 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-30页 |
| 第三章 ZnO薄膜的MOCVD生长及相关特性研究 | 第30-56页 |
| 3.1 c-Al2O3衬底上ZnO薄膜的生长和特性分析 | 第30-33页 |
| 3.1.1 c-Al2O3衬底上ZnO薄膜的生长 | 第30-31页 |
| 3.1.2 c-Al2O3衬底上ZnO薄膜生长温度的优化 | 第31-33页 |
| 3.2 锌源温度对薄膜生长的影响 | 第33-46页 |
| 3.2.1 二乙基锌源 | 第33-34页 |
| 3.2.2 锌源温度对ZnO生长的影响 | 第34-46页 |
| 3.3 ZnO薄膜缓冲层生长的研究. | 第46-54页 |
| 3.3.1 缓冲层生长温度对ZnO薄膜晶体质量的影响 | 第46-48页 |
| 3.3.2 缓冲层生长温度对ZnO薄膜光学质量的影响 | 第48-49页 |
| 3.3.3 缓冲层生长温度对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第49-54页 |
| 3.4 小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第四章 ZnO薄膜的退火研究 | 第56-74页 |
| 4.1 真空退火 | 第56-57页 |
| 4.2 空气中退火 | 第57-62页 |
| 4.3 氧气中退火 | 第62-63页 |
| 4.4 退火对ZnO薄膜电导的影响 | 第63-64页 |
| 4.5 退火对ZnO薄膜影响的原因分析 | 第64-65页 |
| 4.6 不同退火气氛的比较与研究 | 第65-72页 |
| 4.6.1 退火气氛对ZnO薄膜晶体质量的影响 | 第66-67页 |
| 4.6.2 退火气氛对ZnO薄膜光学特性的影响 | 第67-70页 |
| 4.6.3 退火气氛对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第70-72页 |
| 4.7 小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |
| 第五章 ZnO基紫外探测器的制备与测试 | 第74-86页 |
| 5.1 简介 | 第74-79页 |
| 5.1.1 紫外发展过程简述 | 第74页 |
| 5.1.2 紫外探测器的分类 | 第74-76页 |
| 5.1.3 紫外光探测器 | 第76-77页 |
| 5.1.4 金属半导体金属光探测器 | 第77-78页 |
| 5.1.5 用作紫外探测器的半导体材料及常见几种类型比较 | 第78-79页 |
| 5.2 ZnO基紫外探测器的制备 | 第79-81页 |
| 5.2.1 ZnO叉指状电极结构探测器的设计 | 第79-81页 |
| 5.2.2 ZnO叉指状电极结构探测器的制备 | 第81页 |
| 5.3 测试与数据 | 第81-84页 |
| 5.4 小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-86页 |
| 结论 | 第86-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第89-92页 |
| 中文摘要 | 第92-95页 |
| 英文摘要 | 第95页 |
