| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 脉冲功率技术 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体功率器件 | 第10-12页 |
| 1.3 SiC材料特性 | 第12-13页 |
| 1.4 SiC功率器件 | 第13-19页 |
| 1.5 SiC RSD器件 | 第19页 |
| 1.6 论文主要内容 | 第19-21页 |
| 2 4H-SiC RSD二维数值模型 | 第21-32页 |
| 2.1 RSD开通机理 | 第21-22页 |
| 2.2 物理模型分析 | 第22-26页 |
| 2.3 数值模型的基本原理 | 第26-28页 |
| 2.4 TCAD仿真基础 | 第28-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 3 4H-SiC RSD阻断特性 | 第32-44页 |
| 3.1 功率器件的击穿机理 | 第32-35页 |
| 3.2 4H-SiC RSD阻断结构设计 | 第35-37页 |
| 3.3 正斜角台面建模分析 | 第37-40页 |
| 3.4 台面工艺及实验结果 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 4 4H-SiC RSD开通特性 | 第44-54页 |
| 4.1 4H-SiC RSD开通仿真 | 第44-46页 |
| 4.2 4H-SiC RSD工作过程分析 | 第46-47页 |
| 4.3 4H-SiC与Si RSD预充电荷量对比 | 第47-50页 |
| 4.4 4H-SiC RSD对预充电荷的需求 | 第50-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 5 4H-SiC RSD的热力学传输模型 | 第54-58页 |
| 5.1 热力学传输模型 | 第54-55页 |
| 5.2 4H-SiC RSD内部温度分布及变化规律 | 第55-57页 |
| 5.3 4H-SiC RSD极限功率仿真 | 第57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 6 结果与展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65页 |