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一般性问题
浸没式光刻中的缺陷及解决方案
CuSCN和Cu2O纳米结构薄膜的制备及性能研究
基于氧化锌的材料和纳米器件研究
Fe改性TiO2及其光催化与光电化学性能研究
Ga2O3薄膜的高温MOCVD生长与紫外探测器制备研究
RF磁控溅射ZnO薄膜和掺钛ZnO薄膜材料制备及特性研究
有机半导体器件的光电性质和磁场效应研究
氮化铝掺杂的第一性原理研究与体单晶的制备
基于改进型正切空间距离测度的光刻热点聚类方法实现
193纳米光阻等离子体固化工艺研究
45nm半导体器件接触孔连接工艺的研究与改进
先进离子注入机的应用及研究
有机半导体器件的磁效应研究
转接板生产线关键设备综合效率的研究
基于原子层淀积高κ介质调制肖特基势垒的研究
新材料导入的风险管理--以半导体封装项目为例
90nm SRAM光刻技术引入与改进
晶圆厂炉管设备TEOS的产能提升研究
深紫外线曝光光罩结晶状缺陷的生长机理和预防
失效分析技术应用研究
新型Cu2ZnSnS4材料的制备及其光催化性能的研究
65nm先进节点OPC后续修补方法的研究
流化床内硅烷裂解制备粒状多晶硅过程的研究：硅颗粒增长的数值模拟与粉尘的热处理实验
晶圆切割参数对低K介电层可靠性的影响
深亚微米光刻工艺中套刻优化方法的应用研究
小分子半导体纳米结构的制备及其光电性能研究
多物理场仿真方法及其在微纳器件结构中的应用研究
氧化锌p型掺杂系统的第一性原理研究
Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱中激子结合能的研究
基于碲化锌晶体光学整流及电光采样的太赫兹时域光谱系统
低维半导体纳米材料性能调控的理论研究
液相沉积法制备TiO2/Si材料及其光催化性能
离子液体辅助沉积Cu2ZnSnS4薄膜
Zn掺杂三元化合物GaAlAs2的电子结构和光学性质的研究
基于中压等离子体技术的多晶硅薄膜快速晶化及低温生长
MistCVD法沉积ZnO薄膜及其特性研究
基于STM32的自动控制刻蚀系统
二氧化硅磨粒结构对单晶硅表面微观去除的影响研究
氧化锌纳米线的水热生长及光纤传感研究
In0.82Ga0.18As/InP异质外延材料结构优化及性能研究
铈掺杂氧化铜稀磁半导体材料的光学及磁学特性
氮化铟及二氧化锡半导体纳米材料的制备及物性研究
二硫化钨及硼化钨的合成与表征
反射Z-扫描方法测量半导体InN的光学非线性
贵金属掺杂和表面修饰对氧化物半导体气敏性能影响的研究
基于氢化物气相外延法氮化镓在石墨烯上的生长机理研究与表征
无机半导体材料的外延生长与电子态调控
多晶硅还原炉内壁抛光装置的设计
二维半导体中缺陷评价方法及其物性规律的第一性原理研究
SiC衬底上高质量GaN薄膜的外延生长及其发光器件制备研究
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