| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 课题来源 | 第10页 |
| 1.2 课题研究目的及意义 | 第10-11页 |
| 1.3 超光滑表面加工技术国内外发展概况 | 第11-18页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3.2 国内研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3.3 国内外研究现状总结 | 第17-18页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 大气等离子体抛光原理及实验平台搭建 | 第19-27页 |
| 2.1 等离子体抛光加工原理 | 第19-23页 |
| 2.1.1 等离子体产生方式 | 第19-21页 |
| 2.1.2 刻蚀原理 | 第21-23页 |
| 2.2 实验平台搭建 | 第23-26页 |
| 2.2.1 等离子体发生器结构 | 第23-24页 |
| 2.2.2 抛光系统其他组成部分 | 第24-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 缺陷结构进行化学刻蚀的量子化学模拟计算 | 第27-45页 |
| 3.1 SiC体系模型建立 | 第27-32页 |
| 3.1.1 无位错及位错模型的建立 | 第27-29页 |
| 3.1.2 反应体系中反应物与生成物模型的建立 | 第29-30页 |
| 3.1.3 计算参数设定 | 第30-32页 |
| 3.2 能带结构及态密度分析 | 第32-37页 |
| 3.2.1 无位错SiC体系的结果分析 | 第32-33页 |
| 3.2.2 含有较小刃型位错SiC体系的结果分析 | 第33-34页 |
| 3.2.3 含有较大刃型位错SiC体系的结果分析 | 第34-36页 |
| 3.2.4 三种SiC体系的态密度图对比分析 | 第36-37页 |
| 3.3 平均成键电子数分析 | 第37-39页 |
| 3.3.1 无位错与含有刃型位错的SiC体系分析 | 第37-38页 |
| 3.3.2 含有螺旋位错的SiC体系分析 | 第38-39页 |
| 3.4 反应能垒分析 | 第39-43页 |
| 3.4.1 无位错SiC体系的结果分析 | 第39-40页 |
| 3.4.2 含有较小刃型位错SiC体系的结果分析 | 第40-41页 |
| 3.4.3 含有较大刃型位错SiC体系的结果分析 | 第41-42页 |
| 3.4.4 含有螺旋位错SiC体系的结果分析 | 第42页 |
| 3.4.5 四种SiC体系的反应能垒对比分析 | 第42-43页 |
| 3.5 活化能计算 | 第43-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 缺陷结构对表面加工质量的影响分析及实验验证 | 第45-54页 |
| 4.1 位错密度测量 | 第45-47页 |
| 4.2 加工速率分析 | 第47-50页 |
| 4.3 表面粗糙度分析 | 第50-53页 |
| 4.3.1 三维形式 | 第50-52页 |
| 4.3.2 二维形式 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 驻留函数修正与工艺优化 | 第54-68页 |
| 5.1 驻留函数模型建立与修正 | 第54-61页 |
| 5.1.1 去除材料模型 | 第54-57页 |
| 5.1.2 基于边缘效应的驻留函数模型修正 | 第57-59页 |
| 5.1.3 基于表面缺陷影响分析的驻留函数模型修正 | 第59-61页 |
| 5.2 工艺优化 | 第61-66页 |
| 5.2.1 气体配比 | 第61-63页 |
| 5.2.2 加工距离 | 第63-65页 |
| 5.2.3 电源功率 | 第65-66页 |
| 5.3 实验验证 | 第66-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |