| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第14-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-26页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第18-21页 |
| 1.1.1 碳化硅(SiC)材料的优势 | 第18-20页 |
| 1.1.2 H-SiC双极晶体管(BJT)的研究意义 | 第20-21页 |
| 1.2 目前国内外4H-SiC BJT功率器件的研究现状及存在的问题 | 第21-23页 |
| 1.2.1 国内外4H-SiC BJT功率器件的研究现状 | 第21-23页 |
| 1.2.2 目前国内外4H-SiC BJT功率器件存在的主要问题 | 第23页 |
| 1.3 论文的主要结构安排 | 第23-26页 |
| 第二章 4H-SiC BJT基本模型和器件特性 | 第26-36页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 BJT的基本工作原理 | 第26-27页 |
| 2.3 BJT器件的基本电学特性 | 第27-31页 |
| 2.3.1 电流增益 | 第27-28页 |
| 2.3.2 穿通击穿电压与雪崩击穿电压 | 第28-30页 |
| 2.3.3 比导通电阻 | 第30-31页 |
| 2.4 H-SiC BJT理论计算中采用的物理模型及参数 | 第31-35页 |
| 2.4.1 Sentaurus TCAD简介及基本仿真原理 | 第31-32页 |
| 2.4.2 仿真中采用的主要物理模型 | 第32-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 垂直及平面型4H-SiC BJT特性研究 | 第36-62页 |
| 3.1 钝化层界面态密度对4H-SiC BJT器件性能的影响 | 第36-37页 |
| 3.2 发射区掺杂浓度对电流增益的影响 | 第37-38页 |
| 3.3 发射区宽度W_E对器件性能的影响和主要作用机制 | 第38-45页 |
| 3.3.1 发射区宽度W_E对垂直型BJT器件性能的影响 | 第38-43页 |
| 3.3.2 发射区宽度W_E对平面型BJT(LBJT)的影响 | 第43-45页 |
| 3.4 发射区刻蚀台面到基极距离W_P对器件性能的影响及改进方法 | 第45-51页 |
| 3.4.1 W_P对器件电流增益的影响及主要作用机制 | 第45-47页 |
| 3.4.2 减小W_P对器件电流增益影响的一些方法 | 第47-51页 |
| 3.5 温度和大注入效应对4H-SiC BJT器件性能的影响 | 第51-60页 |
| 3.5.1 温度对器件电流增益的影响 | 第51-54页 |
| 3.5.2 常温下,大注入效应对器件性能的影响及作用机制 | 第54-56页 |
| 3.5.3 高温情况下,BJT的大注入效应 | 第56-57页 |
| 3.5.4 大注入效应对LBJT和VBJT性能影响的对比 | 第57-60页 |
| 3.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 4H-SiC BJT击穿特性及结终端技术研究 | 第62-80页 |
| 4.1 引言 | 第62页 |
| 4.2 目前电力电子器件中主要的结终端技术 | 第62页 |
| 4.3 采用的器件结构及器件参数优化 | 第62-66页 |
| 4.3.1 漂移区掺杂浓度对垂直及平面型BJT击穿电压的影响 | 第63-64页 |
| 4.3.2 平面型BJT轻掺杂层及漂移区厚度对击穿电压的影响 | 第64-65页 |
| 4.3.3 基区厚度对垂直和平面型BJT击穿电压的影响 | 第65-66页 |
| 4.4 采取JTE结构的垂直和平面型BJT击穿特性研究 | 第66-71页 |
| 4.4.1 JTE结构垂直型BJT击穿特性研究 | 第66-67页 |
| 4.4.2 JTE结构平面型BJT击穿特性研究 | 第67-69页 |
| 4.4.3 阶梯型JTE结构平面型BJT的击穿特性研究及结构优化 | 第69-71页 |
| 4.5 浮空场限环(FFLRs)结构垂直及平面型BJT击穿特性研究 | 第71-75页 |
| 4.5.1 FFLRs结构垂直型BJT击穿特性研究 | 第71-72页 |
| 4.5.2 FFLRs结构平面型BJT击穿特性研究 | 第72-75页 |
| 4.6 平面型BJT JTE+场限环复合结终端结构设计及优化 | 第75-77页 |
| 4.7 本章小结 | 第77-80页 |
| 第五章 结束语 | 第80-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 作者简介 | 第90页 |
| 1. 基本情况 | 第90页 |
| 2. 教育背景 | 第90页 |
