4H-SiC外延生长原位刻蚀工艺的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 SiC半导体材料简介 | 第15-18页 |
| 1.1.1 SiC的晶体结构 | 第16-17页 |
| 1.1.2 SiC半导体器件的优势 | 第17-18页 |
| 1.2 SiC材料的发展前景及应用 | 第18-19页 |
| 1.3 SiC材料的市场应用现状 | 第19-21页 |
| 第二章 SiC薄膜外延技术发展 | 第21-27页 |
| 2.1 化学气相沉积法（CVD） | 第21-23页 |
| 2.1.1 普通CVD法 | 第21页 |
| 2.1.2 LPCVD法 | 第21-22页 |
| 2.1.3 HFCVD法 | 第22-23页 |
| 2.2 物理气相沉积法（PVD） | 第23-24页 |
| 2.2.1 溅射法 | 第23-24页 |
| 2.2.2 离子注入法 | 第24页 |
| 2.2.3 分子束外延生长法 | 第24页 |
| 2.3 等离子增强化学气相沉积法 | 第24-26页 |
| 2.3.1 射频等离子体CVD | 第25页 |
| 2.3.2 微波等离子体CVD | 第25页 |
| 2.3.3 电子回旋共振等离子体CVD | 第25-26页 |
| 2.4 光化学气相沉积法 | 第26-27页 |
| 第三章 4H-SiC外延的关键工艺 | 第27-39页 |
| 3.14H-SiC外延生长模式和生长原理 | 第27-28页 |
| 3.24H-SiC外延生长设备 | 第28-32页 |
| 3.3 外延生长的工艺流程 | 第32-33页 |
| 3.4 外延生长关键工艺分析 | 第33-37页 |
| 3.4.1 衬底偏角 | 第33-34页 |
| 3.4.2 原位刻蚀 | 第34-35页 |
| 3.4.3 碳硅比 | 第35-37页 |
| 3.4.4 硅氢比 | 第37页 |
| 3.4.5 生长温度 | 第37页 |
| 3.4.6 反应室气压 | 第37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 4H-SiC衬底原位刻蚀的表征及分析 | 第39-59页 |
| 4.1 缺陷的检测方法介绍 | 第39-40页 |
| 4.2 不同刻蚀参数对零偏衬底刻蚀结果的影响 | 第40-45页 |
| 4.2.1 刻蚀时间 | 第41-43页 |
| 4.2.2 刻蚀温度 | 第43-45页 |
| 4.3 不同刻蚀参数对 4°衬底刻蚀结果的影响 | 第45-49页 |
| 4.3.1. 刻蚀时间 | 第45-47页 |
| 4.3.2. 刻蚀温度 | 第47-49页 |
| 4.4 保护气体对衬底刻蚀结果的影响 | 第49-53页 |
| 4.4.1 保护气体对零偏衬底刻蚀结果的影响 | 第49-51页 |
| 4.4.2 保护气体对 4°衬底刻蚀结果的影响 | 第51-53页 |
| 4.5 原位刻蚀对衬底表面损伤与污渍的消除效果 | 第53-58页 |
| 4.5.1 原位刻蚀对表面损伤的消除效果 | 第54-55页 |
| 4.5.2 原位刻蚀对表面污渍的消除效果 | 第55-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结束语 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 作者简介 | 第65-66页 |
| 1. 基本情况 | 第65页 |
| 2. 教育背景 | 第65页 |
| 3. 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第65-66页 |
