| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第9-10页 |
| 缩略语对照表 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第13-17页 |
| 1.2 国内外研究状况 | 第17-20页 |
| 1.3 论文主要研究工作及章节安排 | 第20-21页 |
| 第二章 应力引入技术及能带计算方法 | 第21-35页 |
| 2.1 应力引入方法 | 第21-24页 |
| 2.1.1 全局应变技术 | 第21-23页 |
| 2.1.2 局部应变技术 | 第23-24页 |
| 2.2 应变锗材料制备 | 第24-30页 |
| 2.2.1 SiGe虚拟衬底制备技术研究 | 第25-28页 |
| 2.2.2 应变锗层制备技术研究 | 第28-30页 |
| 2.3 能带计算方法 | 第30-33页 |
| 2.3.1 密度泛函理论（Density Functional Theory，DFT） | 第31-32页 |
| 2.3.2 紧束缚理论（Linear Combination of Atomic Orbitals, LCAO） | 第32页 |
| 2.3.3 K?P微扰理论 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 应变Ge材料价带结构模型 | 第35-55页 |
| 3.1 弛豫Ge材料价带E-k关系模型 | 第35-41页 |
| 3.2 应变Ge材料价带E-k关系模型 | 第41-46页 |
| 3.3 应变Ge材料价带在G 点处能级 | 第46-50页 |
| 3.4 应变Ge材料关键物理参数模型 | 第50-54页 |
| 3.4.1 应变Ge材料空穴各有效质量 | 第50-52页 |
| 3.4.2 应变Ge材料价带顶附近态密度 | 第52-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 应变Ge材料迁移率模型 | 第55-71页 |
| 4.1 费米黄金法则推导 | 第55-59页 |
| 4.2 弛豫时间模型建立 | 第59-60页 |
| 4.3 散射几率模型 | 第60-69页 |
| 4.3.1 离化杂质散射模型 | 第61-63页 |
| 4.3.2 声学声子散射模型 | 第63-65页 |
| 4.3.3 非极性光学声子散射模型 | 第65-68页 |
| 4.3.4 总散射几率模型 | 第68-69页 |
| 4.4 迁移率模型 | 第69-70页 |
| 4.5 本章小节 | 第70-71页 |
| 第五章 结论与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |