| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 课题来源及研究背景 | 第9-13页 |
| 1.2 瞬态光栅技术用于研究半导体双极输运过程的进展 | 第13-17页 |
| 1.3 SiC应用研究现状 | 第17-20页 |
| 1.4 课题的研究目的和意义 | 第20-21页 |
| 1.5 课题的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 瞬态光栅技术中理论分析 | 第22-31页 |
| 2.1 瞬态光栅的产生 | 第23-24页 |
| 2.2 信号的探测 | 第24-27页 |
| 2.3 光栅的衰减 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第3章 6H-SiC的瞬态光栅实验研究 | 第31-47页 |
| 3.1 6H-SiC的常规瞬态光栅实验研究 | 第31-36页 |
| 3.1.1 常规瞬态光栅系统搭建 | 第31-32页 |
| 3.1.2 载流子弛豫动力学过程分析 | 第32-36页 |
| 3.2 6H-SiC的外差式瞬态光栅实验研究 | 第36-46页 |
| 3.2.1 外差式瞬态光栅实验系统搭建 | 第36-39页 |
| 3.2.2 6H-SiC瞬态光栅衍射信号分析 | 第39-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 变激发强度和变温下 6H-SiC的双极输运过程研究 | 第47-56页 |
| 4.1 不同激发强度下 6H-SiC的双极输运过程研究 | 第47-50页 |
| 4.1.1 载流子双极扩散系数随激发强度变化关系 | 第47-49页 |
| 4.1.2 激发强度对载流子迁移率的影响 | 第49页 |
| 4.1.3 非平衡载流子寿命对发强度的依赖关系 | 第49-50页 |
| 4.2 不同温度下 6H-SiC的双极输运过程研究 | 第50-54页 |
| 4.2.1 载流子双极扩散系数随温度变化关系 | 第52-53页 |
| 4.2.2 温度对载流子迁移率的影响 | 第53-54页 |
| 4.2.3 非平衡载流子寿命随温度的变化趋势 | 第54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
