| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 半导体材料简介 | 第12页 |
| 1.3 半导体纳米材料的特殊效应 | 第12-14页 |
| 1.3.1 量子尺寸效应 | 第13页 |
| 1.3.2 表面效应 | 第13页 |
| 1.3.3 小尺寸效应 | 第13页 |
| 1.3.4 介电限域效应 | 第13-14页 |
| 1.3.5 宏观量子隧道效应 | 第14页 |
| 1.4 半导体纳米材料的主要制备方法 | 第14-21页 |
| 1.4.1 液相法 | 第15-18页 |
| 1.4.2 气相沉积法 | 第18-21页 |
| 1.5 半导体纳米材料在不同领域的应用研究 | 第21-27页 |
| 1.5.1 生物医学 | 第21-22页 |
| 1.5.2 半导体太阳能电池 | 第22-23页 |
| 1.5.3 半导体光电探测器件 | 第23-25页 |
| 1.5.4 半导体发光二极管 | 第25-26页 |
| 1.5.5 半导体激光器（受激辐射） | 第26-27页 |
| 1.6 本论文的主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 高质量ZnS纳米线的光致发光和光响应特性 | 第29-38页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-30页 |
| 2.2.1 样品的制备 | 第29-30页 |
| 2.2.2 样品表征与测试 | 第30页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第30-37页 |
| 2.3.1 ZnS纳米线形貌和结构表征 | 第30-32页 |
| 2.3.2 ZnS纳米线的光学特性 | 第32-34页 |
| 2.3.3 ZnS纳米线的光学常数 | 第34-35页 |
| 2.3.4 ZnS纳米线的紫外光探测性能的研究 | 第35-37页 |
| 2.4 小结 | 第37-38页 |
| 第三章 三元Zn_xCd_(1-x)S纳米带的制备及能带调控 | 第38-45页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验部分 | 第39页 |
| 3.2.1 样品制备 | 第39页 |
| 3.2.2 样品表征 | 第39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-44页 |
| 3.3.1 Zn_xCd_(1-x)S样品的形貌 | 第39-40页 |
| 3.3.2 Zn_xCd_(1-x)S纳米带的XRD分析 | 第40-42页 |
| 3.3.3 Zn_xCd_(1-x)S纳米带连续可调谐的光致发光谱 | 第42-43页 |
| 3.3.4 Zn_xCd_(1-x)S纳米带的能带调控 | 第43-44页 |
| 3.4 小结 | 第44-45页 |
| 第四章 带隙可调谐CdS_(1-x)Se_x纳米微结构的激子发光机制及其激光特性 | 第45-59页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 实验部分 | 第46-47页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第46页 |
| 4.2.2 表征与测试 | 第46-47页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第47-58页 |
| 4.3.1 带隙可调谐CdS_(1-x)Se_x的理论分析 | 第47-49页 |
| 4.3.2 CdS_(1-x)Se_x纳米带的形貌及结构 | 第49-51页 |
| 4.3.3 CdS_(1-x)Se_x微米带的光致发光特性（PL）和禁带宽度（Eg） | 第51-53页 |
| 4.3.4 CdS_(1-x)Se_x纳米带的变温光致发光特性 | 第53-54页 |
| 4.3.5 CdS_(1-x)Se_x纳米带的光学常数 | 第54-55页 |
| 4.3.6 CdS_(1-x)Se_x纳米带的激光特性 | 第55-57页 |
| 4.3.7 时域有限差分法模拟CdS_(1-x)Se_x纳米带的F-P微激光 | 第57-58页 |
| 4.4 小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 结论 | 第59-60页 |
| 5.2 展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 在学期间发表的学术论文 | 第71页 |
