首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--化合物半导体论文

静水压力下氧化亚铜电子结构的理论研究

致谢第4-5页
摘要第5-6页
Abstract第6页
变量注释表第12-13页
1 绪论第13-22页
    1.1 概述第13-14页
    1.2 氧化亚铜的基本性质第14-16页
    1.3 课题的提出及研究现状第16-18页
    1.4 主要研究内容第18-19页
    1.5 论文研究方法第19-21页
    1.6 论文组织结构第21-22页
2 理论计算方法第22-28页
    2.1 引言第22页
    2.2 Hohenberg-Kohn定理第22-23页
    2.3 Kohn-Sham方程第23-24页
    2.4 交换关联泛函第24-26页
    2.5 密度泛函理论的发展第26-27页
    2.6 小结第27-28页
3 静水压力下氧化亚铜电子结构的理论研究第28-39页
    3.1 引言第28-29页
    3.2 计算方法第29-30页
    3.3 结果与讨论第30-38页
    3.4 小结第38-39页
4 总结第39-40页
参考文献第40-47页
作者简历第47-50页
学位论文数据集第50页

论文共50页,点击 下载论文
上一篇:随机性及单调性条件下一般时间终端BSDE的L~p(p≥1)解的存在唯一性
下一篇:随机多智能体系统协调一致性问题