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应变ZnO能带结构研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
符号对照表第13-17页
缩略语对照表第17-22页
第一章 绪论第22-36页
    1.1 研究背景第22-30页
        1.1.1 引言第22-24页
        1.1.2 应变ZnO材料的研究现状及进展第24-30页
    1.2 应变ZnO材料能带研究第30-33页
        1.2.1 应变ZnO材料能带结构研究第31-32页
        1.2.2 ZnO材料的能带工程第32-33页
    1.3 能带结构理论计算方法概述第33-34页
    1.4 本论文工作内容及框架第34-36页
第二章 ZnO异质结构及表征第36-46页
    2.1 应变与弛豫第36-40页
        2.1.1 ZnO应变与弛豫第36-38页
        2.1.2 临界厚度第38-40页
    2.2 应变ZnO异质结结构第40-43页
    2.3 应力表征方法第43-45页
        2.3.1 X射线多晶衍射表征双轴应力第43-44页
        2.3.2 激光变形法表征薄膜应力第44页
        2.3.3 拉曼光谱表征双轴应力第44-45页
    2.4 本章小结第45-46页
第三章 纤锌矿应变ZnO材料价带E(k)-k关系研究第46-66页
    3.1 定态微扰理论第47-52页
        3.1.1 能级非简并情况第49-51页
        3.1.2 能级简并情况第51-52页
    3.2 纤锌矿应变ZnO哈密顿模型第52-59页
    3.3 应变ZnO材料价带E(k)-k关系第59-64页
    3.4 本章小结第64-66页
第四章 第一性原理应变ZnO能带结构分析第66-96页
    4.1 密度泛函理论(DFT)第66-73页
        4.1.1 Hohenberg-Kohn定理第67-68页
        4.1.2 Kohn-Sham方程第68-69页
        4.1.3 局域密度近似(LDA)第69-70页
        4.1.4 广义梯度近似(GGA)第70-72页
        4.1.5 LDA+U或GGA+U(原子占据位库伦排斥项)第72-73页
    4.2 应变ZnO/Zn1-xMgxO能带结构研究第73-85页
        4.2.1 应变ZnO/Zn1-xMgxO结构模型第74-75页
        4.2.2 应变ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO能带结构计算模型第75-77页
        4.2.3 能带结果分析第77-81页
        4.2.4 有效质量结果分析第81-83页
        4.2.5 光学特性结果分析第83-85页
    4.3 应变Zn_(1-y)Nb_yO/Zn_(1-x) Mg_xO能带结构研究第85-93页
        4.3.1 应变Zn_(1-y) Nb_yO/Zn_(1-x) Mg_xO结构与计算模型第86页
        4.3.2 应变Zn_(1-y) Nb_yO/Zn_(1-x) Mg_xO能带结构分析第86-91页
        4.3.3 应变Zn_(1-y) Nb_yO/Zn_(1-x) Mg_xO有效质量分析第91-93页
    4.4 本章小结第93-96页
第五章 Al-Sn共掺杂应变ZnO电学和光学特性研究第96-108页
    5.1 Al-Sn共掺杂ZnO光电特性研究第97-106页
        5.1.1 Al-Sn共掺杂ZnO结构与计算模型第98-99页
        5.1.2 Al-Sn共掺杂ZnO电学性能分析第99-103页
        5.1.3 Al-Sn共掺杂ZnO光学性能分析第103-106页
    5.2 本章小结第106-108页
第六章 总结与展望第108-112页
    6.1 研究结论第108-110页
    6.2 研究展望第110-112页
参考文献第112-126页
致谢第126-128页
作者简介第128-130页

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