摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
符号对照表 | 第13-17页 |
缩略语对照表 | 第17-22页 |
第一章 绪论 | 第22-36页 |
1.1 研究背景 | 第22-30页 |
1.1.1 引言 | 第22-24页 |
1.1.2 应变ZnO材料的研究现状及进展 | 第24-30页 |
1.2 应变ZnO材料能带研究 | 第30-33页 |
1.2.1 应变ZnO材料能带结构研究 | 第31-32页 |
1.2.2 ZnO材料的能带工程 | 第32-33页 |
1.3 能带结构理论计算方法概述 | 第33-34页 |
1.4 本论文工作内容及框架 | 第34-36页 |
第二章 ZnO异质结构及表征 | 第36-46页 |
2.1 应变与弛豫 | 第36-40页 |
2.1.1 ZnO应变与弛豫 | 第36-38页 |
2.1.2 临界厚度 | 第38-40页 |
2.2 应变ZnO异质结结构 | 第40-43页 |
2.3 应力表征方法 | 第43-45页 |
2.3.1 X射线多晶衍射表征双轴应力 | 第43-44页 |
2.3.2 激光变形法表征薄膜应力 | 第44页 |
2.3.3 拉曼光谱表征双轴应力 | 第44-45页 |
2.4 本章小结 | 第45-46页 |
第三章 纤锌矿应变ZnO材料价带E(k)-k关系研究 | 第46-66页 |
3.1 定态微扰理论 | 第47-52页 |
3.1.1 能级非简并情况 | 第49-51页 |
3.1.2 能级简并情况 | 第51-52页 |
3.2 纤锌矿应变ZnO哈密顿模型 | 第52-59页 |
3.3 应变ZnO材料价带E(k)-k关系 | 第59-64页 |
3.4 本章小结 | 第64-66页 |
第四章 第一性原理应变ZnO能带结构分析 | 第66-96页 |
4.1 密度泛函理论(DFT) | 第66-73页 |
4.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第67-68页 |
4.1.2 Kohn-Sham方程 | 第68-69页 |
4.1.3 局域密度近似(LDA) | 第69-70页 |
4.1.4 广义梯度近似(GGA) | 第70-72页 |
4.1.5 LDA+U或GGA+U(原子占据位库伦排斥项) | 第72-73页 |
4.2 应变ZnO/Zn1-xMgxO能带结构研究 | 第73-85页 |
4.2.1 应变ZnO/Zn1-xMgxO结构模型 | 第74-75页 |
4.2.2 应变ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO能带结构计算模型 | 第75-77页 |
4.2.3 能带结果分析 | 第77-81页 |
4.2.4 有效质量结果分析 | 第81-83页 |
4.2.5 光学特性结果分析 | 第83-85页 |
4.3 应变Zn_(1-y)Nb_yO/Zn_(1-x) Mg_xO能带结构研究 | 第85-93页 |
4.3.1 应变Zn_(1-y) Nb_yO/Zn_(1-x) Mg_xO结构与计算模型 | 第86页 |
4.3.2 应变Zn_(1-y) Nb_yO/Zn_(1-x) Mg_xO能带结构分析 | 第86-91页 |
4.3.3 应变Zn_(1-y) Nb_yO/Zn_(1-x) Mg_xO有效质量分析 | 第91-93页 |
4.4 本章小结 | 第93-96页 |
第五章 Al-Sn共掺杂应变ZnO电学和光学特性研究 | 第96-108页 |
5.1 Al-Sn共掺杂ZnO光电特性研究 | 第97-106页 |
5.1.1 Al-Sn共掺杂ZnO结构与计算模型 | 第98-99页 |
5.1.2 Al-Sn共掺杂ZnO电学性能分析 | 第99-103页 |
5.1.3 Al-Sn共掺杂ZnO光学性能分析 | 第103-106页 |
5.2 本章小结 | 第106-108页 |
第六章 总结与展望 | 第108-112页 |
6.1 研究结论 | 第108-110页 |
6.2 研究展望 | 第110-112页 |
参考文献 | 第112-126页 |
致谢 | 第126-128页 |
作者简介 | 第128-130页 |