| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 GaN材料 | 第11-13页 |
| 1.2 MOVPE原理 | 第13-15页 |
| 1.3 GaN在MOVPE生长中的化学反应 | 第15-18页 |
| 1.3.1 气相反应 | 第16-17页 |
| 1.3.2 表面反应 | 第17-18页 |
| 1.4 表面反应的国内外研究现状 | 第18-22页 |
| 1.5 表面反应研究存在的问题 | 第22-23页 |
| 1.6 研究目标和研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第24-31页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第24-26页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi模型 | 第24-25页 |
| 2.1.2 Hohenberg - Kohn定理 | 第25页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第25-26页 |
| 2.2 交换关联能求解近似方法 | 第26-27页 |
| 2.2.1 局域密度近似 | 第26-27页 |
| 2.2.2 广义梯度近似 | 第27页 |
| 2.3 MS软件及CASTEP模块功能 | 第27-28页 |
| 2.4 相关的化学与物理量定义 | 第28-31页 |
| 2.4.1 吸附能 | 第28-29页 |
| 2.4.2 电子态密度 | 第29-30页 |
| 2.4.3 电荷密度图 | 第30-31页 |
| 第三章 MOVPE生长m面GaN薄膜的表面吸附研究 | 第31-40页 |
| 3.1 理论模型和方法 | 第31-33页 |
| 3.2 GaCH3在m面GaN表面的吸附 | 第33-35页 |
| 3.3 NH_3在m面GaN表面的吸附及解离 | 第35-36页 |
| 3.4 吸附体系的电子结构 | 第36-38页 |
| 3.5 小结 | 第38-40页 |
| 第四章 MOVPE生长a面GaN薄膜的表面吸附研究 | 第40-48页 |
| 4.1 理论模型和方法 | 第40-41页 |
| 4.2 MMG在a面GaN表面的吸附 | 第41-43页 |
| 4.3 NH_3在a面GaN表面的吸附及解离 | 第43-45页 |
| 4.4 吸附体系的电子结构 | 第45-47页 |
| 4.5 小结 | 第47-48页 |
| 第五章 GaN薄膜生长机理 | 第48-57页 |
| 5.1 a面GaN薄膜生长机理 | 第48-52页 |
| 5.1.1 不同GaN表面对比 | 第48-50页 |
| 5.1.2 a面GaN薄膜生长机理的提出 | 第50-52页 |
| 5.2 c面GaN薄膜岛状生长机理 | 第52-55页 |
| 5.3 小结 | 第55-57页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第57-59页 |
| 6.1 全文总结 | 第57-58页 |
| 6.2 工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63页 |