| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 本课题的研究意义 | 第17页 |
| 1.4 本文的主要工作及内容安排 | 第17-19页 |
| 第二章 典型粒子的辐照效应 | 第19-35页 |
| 2.1 空间辐射环境简介 | 第19-21页 |
| 2.2 核爆炸辐照环境简介 | 第21-22页 |
| 2.3 导致航天器中器件性能退化的效应 | 第22-23页 |
| 2.4 软件仿真辐照损伤的优势 | 第23页 |
| 2.5 中子在硅材料中的辐照效应 | 第23-28页 |
| 2.5.1 中子与硅材料的作用过程 | 第23-26页 |
| 2.5.2 中子与硅材料发生作用的理论分析 | 第26-28页 |
| 2.6 伽马粒子在硅材料中的辐照效应 | 第28-31页 |
| 2.6.1 伽马粒子与硅材料的作用过程 | 第28-29页 |
| 2.6.2 伽马粒子与硅材料相互作用定量分析 | 第29-31页 |
| 2.7 Geant4简介 | 第31-33页 |
| 2.7.1 Geant4的基本概念和内核 | 第31-32页 |
| 2.7.2 Geant4的发展 | 第32-33页 |
| 2.8 ROOT软件简介 | 第33页 |
| 2.9 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 辐照仿真模型的建立 | 第35-43页 |
| 3.1 Geant4辐照仿真的模拟流程 | 第36页 |
| 3.2 辐照模型的建立 | 第36-42页 |
| 3.2.1 探测器的定义 | 第36-38页 |
| 3.2.2 粒子的定义 | 第38-40页 |
| 3.2.3 物理过程定义 | 第40页 |
| 3.2.4 粒子源的定义 | 第40-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 不同粒子在硅材料中的损伤模拟及分析 | 第43-63页 |
| 4.1 中子辐照硅材料的仿真 | 第43-49页 |
| 4.1.1 1MeV中子下的PKA的能谱 | 第43-45页 |
| 4.1.2 IEL、NIEL与硅材料厚度之间的关系 | 第45-48页 |
| 4.1.3 PKA的平均能量与入射中子能量之间的关系 | 第48-49页 |
| 4.2 伽马光子辐照硅材料的仿真 | 第49-52页 |
| 4.2.1 伽马光子在硅材料中的作用机理 | 第50-51页 |
| 4.2.2 伽马光子造成的电离能量沉积模拟 | 第51-52页 |
| 4.3 电子在硅材料中辐照损伤模拟 | 第52-55页 |
| 4.3.1 电子在硅材料中的损伤机理 | 第53-54页 |
| 4.3.2 电子与硅材料的仿真结果 | 第54-55页 |
| 4.4 中子－伽马综合辐照在硅材料中的模拟 | 第55-61页 |
| 4.4.1 PKA的能量分布 | 第56-57页 |
| 4.4.2 PKA和SKA在材料中的分布 | 第57-59页 |
| 4.4.3 中子与原子核作用生成的伽马粒子能谱 | 第59-61页 |
| 4.4.4 PKA产生的次级粒子数目与其能量的关系 | 第61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 结论 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 作者简介 | 第71-72页 |
