| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 文献综述 | 第11-18页 |
| 1.2.1 热电子发射 | 第11-14页 |
| 1.2.2 La 和La_2O_3 的基本物理性质 | 第14-15页 |
| 1.2.3 稀土钼阴极电子发射材料的研究进展 | 第15-18页 |
| 1.3 本论文的研究目的、内容和实验方案 | 第18-20页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第18页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第18页 |
| 1.3.3 方案设计 | 第18-20页 |
| 第2章 薄膜阴极制备装置及工艺条件 | 第20-31页 |
| 2.1 脉冲激光沉积技术 | 第20-21页 |
| 2.2 脉冲激光沉积系统组成及选择 | 第21-24页 |
| 2.3 AES 和PLD 相连的阴极研究系统 | 第24-25页 |
| 2.4 实验过程 | 第25-26页 |
| 2.5 影响薄膜制备的主要因素 | 第26-30页 |
| 2.5.1 激光能量密度及频率 | 第26-27页 |
| 2.5.2 环境气压 | 第27页 |
| 2.5.3 基体温度 | 第27页 |
| 2.5.4 靶距 | 第27页 |
| 2.5.5 光路及靶自转机构 | 第27-28页 |
| 2.5.6 沉积时间 | 第28-29页 |
| 2.5.7 阴极测试温度 | 第29-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 薄膜阴极的发射性能与表面形态研究 | 第31-39页 |
| 3.1 零场发射电流密度的测量方法 | 第31-32页 |
| 3.2 镧钼薄膜阴极发射性能测量及表面分析 | 第32-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 镧钼薄膜阴极发射机理研究 | 第39-62页 |
| 4.1 镧钼阴极的热电子发射机理 | 第39-40页 |
| 4.2 热电子发射的基本原理 | 第40-41页 |
| 4.3 对单原子层理论的讨论 | 第41-44页 |
| 4.4 氧在镧钼薄膜阴极中的作用 | 第44-48页 |
| 4.4.1 不同La/O 薄膜的发射性能 | 第44-45页 |
| 4.4.2 氧对热发射稳定性影响研究 | 第45-47页 |
| 4.4.3 氧在热发射中的作用的理论解释 | 第47-48页 |
| 4.5 薄膜阴极发射机理分析 | 第48-60页 |
| 4.5.1 半导体模型解释 | 第48-52页 |
| 4.5.2 超微粒子埋藏于基质模型解释 | 第52-59页 |
| 4.5.3 停滞波动阶段 | 第59-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 实际镧钼阴极热发射机理 | 第62-70页 |
| 5.1 实际镧钼阴极表面发射层模型 | 第62-64页 |
| 5.2 实际镧钼阴极发射机理分析 | 第64-65页 |
| 5.3 实例分析―—La-W、Ce-W、Y-W 阴极发射性能的区别 | 第65-69页 |
| 5.3.1 表面系统的逸出功 | 第66-68页 |
| 5.3.2 可提供的电子密度 | 第68-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 附录 | 第76-77页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |