| 摘要 | 第10-14页 |
| ABSTRACT | 第14-18页 |
| 符号表 | 第19-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-51页 |
| §1-1 半导体简介 | 第21-26页 |
| 1-1-1 半导体的概念 | 第21-22页 |
| 1-1-2 半导体的早期发展史 | 第22-26页 |
| §1-2 GaN基半导体材料的基本性质 | 第26-29页 |
| 1-2-1 晶格结构 | 第26-27页 |
| 1-2-2 基本性质 | 第27页 |
| 1-2-3 能带结构 | 第27-29页 |
| §1-3 GaN基半导体的应用 | 第29-36页 |
| 1-3-1 GaN基HEMT | 第30-32页 |
| 1-3-2 GaN基LED | 第32-36页 |
| §1-4 GaN基半导体的国内外研究进展 | 第36-41页 |
| 1-4-1 GaN基HEMT | 第37-39页 |
| 1-4-2 GaN基LED | 第39-41页 |
| §1-5 面临的挑战 | 第41-44页 |
| 1-5-1 GaN基HEMT | 第41-42页 |
| 1-5-2 GaN基LED | 第42-44页 |
| §1-6 本论文的结构及主要内容 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-51页 |
| 第二章 常见的GaN基半导体材料的制备方法及表征手段 | 第51-65页 |
| §2-1 GAN基半导体材料的制备方法 | 第52-55页 |
| 2-1-1 MBE和HVPE简介 | 第52-53页 |
| 2-1-2 MOCVD简介 | 第53-55页 |
| §2-2 GaN基半导体材料的表征手段 | 第55-63页 |
| 2-2-1 光学表征 | 第55-58页 |
| 2-2-2 结构表征 | 第58-60页 |
| 2-2-3 电学表征 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第三章 Ga基HEMT的光电特性研究 | 第65-91页 |
| §3-1 GaN外延层的PL特性 | 第66-70页 |
| 3-1-1 样品的准备 | 第66页 |
| 3-1-2 PL特性 | 第66-70页 |
| §3-2 AlN垒层厚度对AlN/GaN HEMT的影响 | 第70-77页 |
| 3-2-1 样品的准备 | 第70-71页 |
| 3-2-2 结构特性 | 第71-73页 |
| 3-2-3 光学特性 | 第73-75页 |
| 3-2-4 电学特性 | 第75-77页 |
| §3-3 GaN缓冲层中掺Fe浓度对AlGaN/GaN HEMT的影响 | 第77-87页 |
| 3-3-1 样品的准备 | 第77-78页 |
| 3-3-2 光学特性 | 第78-83页 |
| 3-3-3 电学特性 | 第83-87页 |
| §3-4 本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-91页 |
| 第四章 GaN基蓝光LED的光电特性研究 | 第91-111页 |
| §4-1 样品的准备 | 第92-94页 |
| §4-2 PL特性研究 | 第94-95页 |
| §4-3 EL特性研究 | 第95-103页 |
| §4-4 PL特性与EL特性的比较 | 第103-106页 |
| §4-5 本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-111页 |
| 第五章 GaN基绿光LED的光电特性研究 | 第111-131页 |
| §5-1 样品的准备 | 第112-113页 |
| §5-2 Ⅰ-Ⅴ特性 | 第113-116页 |
| §5-3 EL特性 | 第116-125页 |
| 5-3-1 EL光谱 | 第116-117页 |
| 5-3-2 拟合结果 | 第117-125页 |
| §5-4 本章小结 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-131页 |
| 第六章 结论及未来工作安排 | 第131-135页 |
| §6-1 结论 | 第131-133页 |
| §6-2 未来工作安排 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135-137页 |
| 攻读博士学位期间学术成果 | 第137-139页 |
| Paper 1 | 第139-149页 |
| Paper 2 | 第149-155页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第155页 |
