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氧化物半导体材料生长调控与结构性质

摘要第4-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第13-37页
    1.1 ZnO的研究背景第13-14页
    1.2 ZnO的基本性质第14-19页
        1.2.1 ZnO的晶体结构第14-16页
        1.2.2 ZnO的能带结构第16-19页
    1.3 ZnO的掺杂研究第19-24页
        1.3.1 ZnO本征缺陷第19-20页
        1.3.2 ZnO的n型掺杂第20-22页
        1.3.3 ZnO的p型掺杂第22-24页
    1.4 ZnO纳米结构研究第24-26页
    1.5 半导体自旋电子器件的研究第26-30页
        1.5.1 自旋电子器件简介第26-27页
        1.5.2 稀磁半导体研究第27-28页
        1.5.3 铁磁/半导体集成结构研究第28-30页
    1.6 论文主要研究内容和论文结构第30-32页
    本章参考文献第32-37页
第二章 样品制备与表征方法第37-48页
    2.1 样品制备方法第37-41页
        2.1.1 薄膜样品制备第37-39页
        2.1.2 纳米样品制备第39-41页
    2.2 样品表征方法第41-47页
        2.2.1 形貌,结构,成分表征第41-43页
        2.2.2 电学,磁学,光学表征第43-47页
    本章参考文献第47-48页
第三章 N掺杂ZnO杂质缺陷的生长调控第48-62页
    3.1 引言第48-49页
    3.2 缺氧条件下N掺杂ZnO研究概况第49页
    3.3 富氧条件下N掺杂ZnO研究第49-59页
        3.3.1 样品的制备第49-50页
        3.3.2 结果与讨论第50-59页
    3.4 本章小结第59-60页
    本章参考文献第60-62页
第四章 等电子掺杂ZnO杂质缺陷的生长调控第62-73页
    4.1 引言第62-63页
    4.2 缺氧条件下Te-N共掺ZnO研究概况第63页
    4.3 富氧条件下Te-N共掺ZnO研究第63-70页
        4.3.1 样品制备第63-64页
        4.3.2 结果与讨论第64-70页
    4.4 本章小结第70-71页
    本章参考文献第71-73页
第五章 S掺杂ZnO的组分调控与性质研究第73-94页
    5.1 引言第73-74页
    5.2 ZnO_(1-x)S_x合金薄膜研究第74-77页
    5.3 ZnO_(1-x)S_x合金纳米结构研究第77-92页
        5.3.1 ZnS原位氧化实验第78-84页
        5.3.2 ZnS掺O生长实验第84-92页
    5.4 本章小结第92-93页
    本章参考文献第93-94页
第六章 ZnO纳米结构的生长调控第94-104页
    6.1 引言第94页
    6.2 生长条件对纳米结构的影响第94-98页
        6.2.1 压强的影响第95页
        6.2.2 衬底的影响第95-97页
        6.2.3 催化剂影响第97-98页
    6.3 ZnO纳米片FET第98-101页
    6.4 ZnO纳米柱阵列结构的发光性质第101-102页
    6.5 本章小结第102-103页
    本章参考文献第103-104页
第七章 Fe_3O_4/ZnO磁性异质结构生长与调控第104-122页
    7.1 引言第104-105页
    7.2 Fe_3O_4/Al_3O_4的生长研究第105-110页
        7.2.1 样品制备第105-106页
        7.2.2 结果与讨论第106-110页
    7.3 Fe_3O_4/ZnO的生长研究第110-118页
        7.3.1 样品制备第110-111页
        7.3.2 结果与讨论第111-118页
    7.4 本章小结第118-120页
    本章参考文献第120-122页
第八章 Fe_3O_4/GaN磁性异质结构生长与调控第122-131页
    8.1 引言第122页
    8.2 样品制备第122-123页
    8.3 结果与讨论第123-128页
    8.4 本章小结第128-130页
    本章参考文献第130-131页
第九章 结论和展望第131-135页
致谢第135-137页
博士期间研究成果第137-139页

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