摘要 | 第4-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-37页 |
1.1 ZnO的研究背景 | 第13-14页 |
1.2 ZnO的基本性质 | 第14-19页 |
1.2.1 ZnO的晶体结构 | 第14-16页 |
1.2.2 ZnO的能带结构 | 第16-19页 |
1.3 ZnO的掺杂研究 | 第19-24页 |
1.3.1 ZnO本征缺陷 | 第19-20页 |
1.3.2 ZnO的n型掺杂 | 第20-22页 |
1.3.3 ZnO的p型掺杂 | 第22-24页 |
1.4 ZnO纳米结构研究 | 第24-26页 |
1.5 半导体自旋电子器件的研究 | 第26-30页 |
1.5.1 自旋电子器件简介 | 第26-27页 |
1.5.2 稀磁半导体研究 | 第27-28页 |
1.5.3 铁磁/半导体集成结构研究 | 第28-30页 |
1.6 论文主要研究内容和论文结构 | 第30-32页 |
本章参考文献 | 第32-37页 |
第二章 样品制备与表征方法 | 第37-48页 |
2.1 样品制备方法 | 第37-41页 |
2.1.1 薄膜样品制备 | 第37-39页 |
2.1.2 纳米样品制备 | 第39-41页 |
2.2 样品表征方法 | 第41-47页 |
2.2.1 形貌,结构,成分表征 | 第41-43页 |
2.2.2 电学,磁学,光学表征 | 第43-47页 |
本章参考文献 | 第47-48页 |
第三章 N掺杂ZnO杂质缺陷的生长调控 | 第48-62页 |
3.1 引言 | 第48-49页 |
3.2 缺氧条件下N掺杂ZnO研究概况 | 第49页 |
3.3 富氧条件下N掺杂ZnO研究 | 第49-59页 |
3.3.1 样品的制备 | 第49-50页 |
3.3.2 结果与讨论 | 第50-59页 |
3.4 本章小结 | 第59-60页 |
本章参考文献 | 第60-62页 |
第四章 等电子掺杂ZnO杂质缺陷的生长调控 | 第62-73页 |
4.1 引言 | 第62-63页 |
4.2 缺氧条件下Te-N共掺ZnO研究概况 | 第63页 |
4.3 富氧条件下Te-N共掺ZnO研究 | 第63-70页 |
4.3.1 样品制备 | 第63-64页 |
4.3.2 结果与讨论 | 第64-70页 |
4.4 本章小结 | 第70-71页 |
本章参考文献 | 第71-73页 |
第五章 S掺杂ZnO的组分调控与性质研究 | 第73-94页 |
5.1 引言 | 第73-74页 |
5.2 ZnO_(1-x)S_x合金薄膜研究 | 第74-77页 |
5.3 ZnO_(1-x)S_x合金纳米结构研究 | 第77-92页 |
5.3.1 ZnS原位氧化实验 | 第78-84页 |
5.3.2 ZnS掺O生长实验 | 第84-92页 |
5.4 本章小结 | 第92-93页 |
本章参考文献 | 第93-94页 |
第六章 ZnO纳米结构的生长调控 | 第94-104页 |
6.1 引言 | 第94页 |
6.2 生长条件对纳米结构的影响 | 第94-98页 |
6.2.1 压强的影响 | 第95页 |
6.2.2 衬底的影响 | 第95-97页 |
6.2.3 催化剂影响 | 第97-98页 |
6.3 ZnO纳米片FET | 第98-101页 |
6.4 ZnO纳米柱阵列结构的发光性质 | 第101-102页 |
6.5 本章小结 | 第102-103页 |
本章参考文献 | 第103-104页 |
第七章 Fe_3O_4/ZnO磁性异质结构生长与调控 | 第104-122页 |
7.1 引言 | 第104-105页 |
7.2 Fe_3O_4/Al_3O_4的生长研究 | 第105-110页 |
7.2.1 样品制备 | 第105-106页 |
7.2.2 结果与讨论 | 第106-110页 |
7.3 Fe_3O_4/ZnO的生长研究 | 第110-118页 |
7.3.1 样品制备 | 第110-111页 |
7.3.2 结果与讨论 | 第111-118页 |
7.4 本章小结 | 第118-120页 |
本章参考文献 | 第120-122页 |
第八章 Fe_3O_4/GaN磁性异质结构生长与调控 | 第122-131页 |
8.1 引言 | 第122页 |
8.2 样品制备 | 第122-123页 |
8.3 结果与讨论 | 第123-128页 |
8.4 本章小结 | 第128-130页 |
本章参考文献 | 第130-131页 |
第九章 结论和展望 | 第131-135页 |
致谢 | 第135-137页 |
博士期间研究成果 | 第137-139页 |