| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 GaN材料的背景和意义 | 第10页 |
| 1.2 GaN材料研究现状和发展 | 第10-12页 |
| 1.3 GaN材料的基本性质及结构 | 第12-14页 |
| 1.3.1 GaN的电学特性 | 第12页 |
| 1.3.2 GaN的化学特性 | 第12页 |
| 1.3.3 GaN的光学特性 | 第12-13页 |
| 1.3.4 GaN晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.4 GaN基器件 | 第14-19页 |
| 1.4.1 发光二极管 | 第14-16页 |
| 1.4.2 固态冷阴极器件 | 第16页 |
| 1.4.3 激光二极管 | 第16-17页 |
| 1.4.4 高频、高功率和高温电子器件 | 第17-18页 |
| 1.4.5 紫外光光电探测器 | 第18-19页 |
| 1.5 GaN的部分衬底材料 | 第19-21页 |
| 1.6 本章小结 | 第21页 |
| 1.7 本文研究的主要内容 | 第21-24页 |
| 第二章 GaN薄膜制备工艺方法 | 第24-28页 |
| 2.1 薄膜外延技术 | 第24页 |
| 2.2 氢化物气相外延(HVPE) | 第24-25页 |
| 2.3 金属有机化学气相外延(MOCVD) | 第25页 |
| 2.4 分子束外延(MBE) | 第25-26页 |
| 2.5 化学束外延(CBE) | 第26页 |
| 2.6 横向外延生长(ELO) | 第26-27页 |
| 2.7 两步生长法 | 第27页 |
| 2.8 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 计算流体力学相关知识以及相关软件 | 第28-34页 |
| 3.1 计算流体力学的相关知识 | 第28-31页 |
| 3.1.1 流体及计算流体力学的介绍和发展 | 第28页 |
| 3.1.2 计算流体力学基本控制方程 | 第28-30页 |
| 3.1.3 控制方程的离散方法 | 第30-31页 |
| 3.2 FLUENT软件群介绍 | 第31-32页 |
| 3.2.1 GAMBIT软件简介 | 第31-32页 |
| 3.2.2 FLUENT软件简介 | 第32页 |
| 3.3 计算机模拟GaN生长的背景 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 3英寸GaN HVPE制备系统 | 第34-38页 |
| 4.1 概述 | 第34页 |
| 4.2 HVPE系统原理 | 第34-35页 |
| 4.3 HVPE模拟的一般性假设 | 第35页 |
| 4.4 HVPE生长GaN的统御方程 | 第35-36页 |
| 4.5 模拟用HVPE系统模型 | 第36-37页 |
| 4.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 软件模拟及数据分析 | 第38-66页 |
| 5.1 参数 | 第38-39页 |
| 5.2 反应时的边界条件 | 第39-40页 |
| 5.3 简化的边界条件 | 第40页 |
| 5.4 软件模拟 | 第40-44页 |
| 5.4.1 GAMBIT绘制反应器三维模型 | 第40-42页 |
| 5.4.2 FLUENT模拟GaN的沉积过程 | 第42-44页 |
| 5.5 数据分析 | 第44-65页 |
| 5.5.1 衬底与气体入口距离对GaN沉积的影响 | 第44-47页 |
| 5.5.2 重力对GaN沉积的影响 | 第47-49页 |
| 5.5.3 GaCl/N_2流速对GaN沉积的影响 | 第49-52页 |
| 5.5.4 NH_3/N_2流速对GaN沉积的影响 | 第52-55页 |
| 5.5.5 N_2(隔离气)流速对GaN沉积的影响 | 第55-57页 |
| 5.5.6 N_2(载气)流速对GaN沉积的影响 | 第57-60页 |
| 5.5.7 GaCl/N_2质量分数对GaN沉积的影响 | 第60-62页 |
| 5.5.8 NH_3/N_2质量分数对GaN沉积的影响 | 第62-65页 |
| 5.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 发表论文和科研成果 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
