| 第一章 绪 论 | 第7-12页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 GaN半导体材料的研究进展 | 第8-9页 |
| 1.3 合成GaN大单晶的几种方法 | 第9-10页 |
| 1.4 论文题目的选择和研究内容 | 第10-12页 |
| 第二章 GaN 概 述 | 第12-17页 |
| 2.1 GaN 的晶体结构 | 第12-14页 |
| 2.2 GaN 的参考x-ray diffraetion谱 | 第14-15页 |
| 2.3 GaN 的物理化学性质 | 第15-17页 |
| 第三章 高温高压合成氮化镓的机制、实验方法及设备l | 第17-28页 |
| 3.1 高温高压合成GaN 的理论 | 第17-20页 |
| 3.2 高温高压下N2 融于液态Ga的生长方法l | 第20-23页 |
| 3.3 DAC 和 YAG 激光加热合成GaN技术 | 第23-25页 |
| 3.4 六面顶压机高温高压合成技术 | 第25-28页 |
| 第四章 直流电弧等离子体方法制备GaN纳米粉 | 第28-34页 |
| 4.1 引言 | 第28页 |
| 4.2 直流电弧等离子体方法制备GaN纳米粉的技术及设备 | 第28-30页 |
| 4.3 纳米GaN的制备及表征 | 第30-33页 |
| 4.4 小结 | 第33-34页 |
| 第五章 纳米和体材料GaN的高温高压合成研究 | 第34-41页 |
| 5.1 引言 | 第34页 |
| 5.2 实验装置及实验过程 | 第34-35页 |
| 5.3 实验结果及表征 | 第35-40页 |
| 5.4 小结 | 第40-41页 |
| 第六章 高温高压下利用固态氮源合成GaN的探索 | 第41-54页 |
| 6.1 固态氮源C3N6H6简介 | 第41-43页 |
| 6.2 实验装置及实验过程 | 第43-44页 |
| 6.3 样品的处理及表征 | 第44-50页 |
| 6.4 实验结果的讨论 | 第50-53页 |
| 6.5 小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 附中英文摘要 | 第61-68页 |
