| 摘要 | 第12-16页 |
| ABSTRACT | 第16-21页 |
| 符号表 | 第22-24页 |
| 第一章 绪论 | 第24-40页 |
| §1.1 概述 | 第24-25页 |
| §1.2 二氧化钛的性质及应用 | 第25-27页 |
| 1.2.1 结构性质 | 第25-26页 |
| 1.2.2 光学性质 | 第26页 |
| 1.2.3 电学性质 | 第26-27页 |
| 1.2.4 二氧化钛的应用 | 第27页 |
| §1.3 二氧化钛薄膜的研究现状 | 第27-30页 |
| §1.4 本论文课题的选取和主要研究内容 | 第30-32页 |
| 本章参考文献 | 第32-40页 |
| 第二章 薄膜制备及测试分析方法 | 第40-50页 |
| §2.1 薄膜的制备方法 | 第40-45页 |
| 2.1.1 MOCVD方法的基本原理 | 第40-42页 |
| 2.1.2 本论文所用的MOCVD系统 | 第42-44页 |
| 2.1.3 本论文薄膜制备工艺流程 | 第44-45页 |
| §2.2 薄膜性质的测试分析方法 | 第45-48页 |
| 2.2.1 薄膜结构的测试方法 | 第45-46页 |
| 2.2.2 薄膜形貌的测试方法 | 第46页 |
| 2.2.3 薄膜组分的测试方法 | 第46-47页 |
| 2.2.4 薄膜电学性质的测试方法 | 第47页 |
| 2.2.5 薄膜光学性质的测试方法 | 第47-48页 |
| 本章参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 板钛矿结构TiO_2薄膜的制备及性质研究 | 第50-71页 |
| §3.1 生长速率对YSZ (110)衬底TiO_2薄膜特性的影响 | 第50-56页 |
| 3.1.1 衬底的选取及薄膜的制备工艺条件 | 第50-51页 |
| 3.1.2 生长速率对薄膜结构的影响 | 第51-52页 |
| 3.1.3 生长速率对薄膜形貌的影响 | 第52-53页 |
| 3.1.4 薄膜的生长机理分析 | 第53-54页 |
| 3.1.5 生长速率对薄膜光学性质的影响 | 第54-56页 |
| §3.2 生长温度对YSZ (110)衬底TiO_2薄膜特性的影响 | 第56-62页 |
| 3.2.1 薄膜的制备工艺条件 | 第56页 |
| 3.2.2 生长温度对薄膜结构的影响 | 第56-57页 |
| 3.2.3 薄膜的外延生长机理 | 第57-59页 |
| 3.2.4 薄膜的微观结构 | 第59-60页 |
| 3.2.5 生长温度对薄膜形貌的影响 | 第60页 |
| 3.2.6 薄膜的化学组分分析 | 第60-61页 |
| 3.2.7 薄膜的光学性质分析 | 第61-62页 |
| §3.3 YSZ (110)衬底In掺杂TiO_2薄膜的制备及性质研究 | 第62-69页 |
| 3.3.1 薄膜的制备工艺条件 | 第62-63页 |
| 3.3.2 掺杂浓度对薄膜结构的影响 | 第63-64页 |
| 3.3.3 薄膜的化学组分分析 | 第64-65页 |
| 3.3.4 掺杂浓度对薄膜形貌的影响 | 第65-66页 |
| 3.3.5 掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第66-68页 |
| 3.3.6 薄膜的光学性质分析 | 第68-69页 |
| 本章参考文献 | 第69-71页 |
| 第四章 锐钛矿TiO_2薄膜的制备及性质研究 | 第71-101页 |
| §4.1 YSZ (100)衬底TiO_2外延薄膜的制备及特性研究 | 第71-78页 |
| 4.1.1 衬底的选取及薄膜的制备工艺条件 | 第71-72页 |
| 4.1.2 生长温度对薄膜结构的影响 | 第72-74页 |
| 4.1.3 薄膜的微观结构及外延关系 | 第74-75页 |
| 4.1.4 生长温度对薄膜形貌的影响 | 第75-76页 |
| 4.1.5 薄膜的化学组分分析 | 第76-77页 |
| 4.1.6 薄膜的光学性质分析 | 第77-78页 |
| §4.2 YSZ (100)衬底Nb掺杂TiO_2薄膜的制备及性质研究 | 第78-81页 |
| 4.2.1 薄膜的制备工艺条件 | 第78页 |
| 4.2.2 掺杂浓度对薄膜结构的影响 | 第78-79页 |
| 4.2.3 掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第79-80页 |
| 4.2.4 掺杂浓度对薄膜光学性质的影响 | 第80-81页 |
| §4.3 YSZ(100)衬底Ta掺杂TiO_2薄膜的制备及性质研究 | 第81-86页 |
| 4.3.1 薄膜的制备工艺条件 | 第81-82页 |
| 4.3.2 掺杂浓度对薄膜结构的影响 | 第82-83页 |
| 4.3.3 薄膜的化学组分分析 | 第83-84页 |
| 4.3.4 掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第84-85页 |
| 4.3.5 掺杂浓度对薄膜光学性质的影响 | 第85-86页 |
| §4.4 LSAT (100)衬底Nb掺杂TiO_2外延薄膜的制备及性质研究 | 第86-93页 |
| 4.4.1 衬底的选取及薄膜的制备工艺条件 | 第86页 |
| 4.4.2 掺杂浓度对薄膜结构的影响 | 第86-87页 |
| 4.4.3 薄膜的化学组分分析 | 第87-89页 |
| 4.4.4 掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第89-90页 |
| 4.4.5 薄膜的微观结构分析 | 第90-91页 |
| 4.4.6 薄膜的光学性质分析 | 第91-93页 |
| §4.5 LSAT(100)衬底Ta掺杂TiO_2外延薄膜的制备及性质研究 | 第93-99页 |
| 4.5.1 薄膜的制备工艺条件 | 第93页 |
| 4.5.2 掺杂浓度对薄膜结构的影响 | 第93-94页 |
| 4.5.3 薄膜的化学组分分析 | 第94-95页 |
| 4.5.4 掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第95-96页 |
| 4.5.5 薄膜的微观结构分析 | 第96-97页 |
| 4.5.6 薄膜的光学性质分析 | 第97-99页 |
| 本章参考文献 | 第99-101页 |
| 第五章 金红石结构TiO_2同质外延薄膜的制备及性质研究 | 第101-120页 |
| §5.1 r-TiO_2 (001)衬底上TiO_2薄膜的制备及性质研究 | 第101-108页 |
| 5.1.1 薄膜的制备工艺条件 | 第101-102页 |
| 5.1.2 生长温度对薄膜结构的影响 | 第102-105页 |
| 5.1.3 薄膜的化学组分分析 | 第105-106页 |
| 5.1.4 生长温度对薄膜形貌的影响 | 第106页 |
| 5.1.5 薄膜的拉曼光谱分析 | 第106-107页 |
| 5.1.6 薄膜的光学性质分析 | 第107-108页 |
| §5.2 r-TiO_2 (001)衬底上Nb掺杂TiO_2薄膜的制备及性质研究 | 第108-113页 |
| 5.2.1 薄膜的制备工艺条件 | 第108-109页 |
| 5.2.2 掺杂浓度对薄膜结构的影响 | 第109-110页 |
| 5.2.3 薄膜的化学组分分析 | 第110-111页 |
| 5.2.4 掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第111-112页 |
| 5.2.5 薄膜的微观结构分析 | 第112-113页 |
| §5.3 r-TiO_2(001)衬底Ta掺杂TiO_2薄膜的制备及性质研究 | 第113-117页 |
| 5.3.1 薄膜的制备工艺条件 | 第113页 |
| 5.3.2 掺杂浓度对薄膜结构的影响 | 第113-114页 |
| 5.3.3 薄膜的化学组分分析 | 第114-115页 |
| 5.3.4 掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第115-117页 |
| 本章参考文献 | 第117-120页 |
| 第六章 结论 | 第120-125页 |
| 博士期间发表论文目录 | 第125-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
| Paper1 | 第129-134页 |
| Paper2 | 第134-139页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第139页 |
