| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 FINFET器件的产生与发展 | 第11-15页 |
| 1.2 国内外研究发展动态 | 第15-17页 |
| 1.2.1 国外研究动态 | 第15-16页 |
| 1.2.2 国内研究动态 | 第16-17页 |
| 1.3 本论文的研究工作及内容安排 | 第17-20页 |
| 第二章 三栅FINFET器件的结构与特性分析 | 第20-36页 |
| 2.1 三栅FINFET器件的基本电学特性分析 | 第20-23页 |
| 2.1.1 三栅FinFET器件的伏安特性基本理论 | 第20-22页 |
| 2.1.2 三栅FinFET器件的阈值电压分析 | 第22-23页 |
| 2.2 三栅FINFET器件的结构参数与短沟道效应分析 | 第23-28页 |
| 2.2.1 三栅FinFET短沟道效应的特性研究 | 第23-24页 |
| 2.2.2 三栅FinFET器件参数变化对短沟道效应的影响 | 第24-28页 |
| 2.3 三栅FINFET器件常用仿真介绍及工艺流程 | 第28-34页 |
| 2.3.1 三栅FinFET器件仿真常用物理模型 | 第28-30页 |
| 2.3.2 三栅FinFET器件仿真流程 | 第30-32页 |
| 2.3.3 三栅FinFET器件结构分析与工艺实现流程 | 第32-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 基于DUAL-K层的FINFET结构射频模拟特性与几何参数模型 | 第36-54页 |
| 3.1 基于DUAL-K层的FINFET器件结构射频模拟特性指标 | 第36-42页 |
| 3.1.1 器件K值材料的筛选与影响 | 第36-38页 |
| 3.1.2 器件寄生电容估算模型 | 第38-40页 |
| 3.1.3 器件射频模拟特性指标 | 第40-42页 |
| 3.2 基于DUAL-K层的FINFET器件参数与射频模拟性能相关性研究 | 第42-49页 |
| 3.2.1 Fin高度与器件性能相关性 | 第43-45页 |
| 3.2.2 Fin宽度与器件性能相关性 | 第45-46页 |
| 3.2.3 Fin源漏外延长度与器件性能相关性 | 第46-48页 |
| 3.2.4 内部高k层厚度与器件性能相关性 | 第48-49页 |
| 3.3 适用于DUAI-K层FINFET结构射频模拟特性的几何参数建模 | 第49-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 不对称双K层漏外延新型FINFET结构 | 第54-67页 |
| 4.1 不对称双K层FINFET器件结构 | 第54-61页 |
| 4.1.1 不对称双k层结构射频模拟特性分析 | 第55-59页 |
| 4.1.2 不对称双k层FinFET器件结构建模及结果分析 | 第59-61页 |
| 4.2 不对称漏外延FINFET器件结构 | 第61-63页 |
| 4.2.1 不对称漏外延结构射频模拟特性分析 | 第61-62页 |
| 4.2.2 不对称漏外延结构结果分析与对比 | 第62-63页 |
| 4.3 不对称双K层漏外延新型FINFET结构设计与建模 | 第63-66页 |
| 4.4 本章小节 | 第66-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第75页 |
