| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-40页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 氧化稼的基本性质 | 第10-14页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第10-13页 |
| 1.2.2 基本物性 | 第13-14页 |
| 1.3 Sn掺杂Ga_2O_3薄膜的生长方法及应用 | 第14-30页 |
| 1.4 研究内容和结构 | 第30页 |
| 参考文献 | 第30-40页 |
| 第二章 实验方法及测试手段 | 第40-46页 |
| 2.1 前言 | 第40页 |
| 2.2 薄膜的制备方法 | 第40-43页 |
| 2.2.1 激光分子束外延 | 第40-42页 |
| 2.2.2 磁控溅射 | 第42-43页 |
| 2.3 薄膜的表征手段 | 第43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 第三章 Sn掺杂Ga_2O_3薄膜的生长及晶体结构 | 第46-57页 |
| 3.1 高质量Sn掺杂Ga_2O_3基外延薄膜的生长 | 第46页 |
| 3.2 不同面蓝宝石衬底对Sn掺杂Ga_2O_3外延薄膜生长的影响 | 第46-47页 |
| 3.3 Sn掺杂Ga_2O_3外延薄膜的晶体结构 | 第47-53页 |
| 3.3.1 衬底温度对Sn掺杂Ga_2O_3薄膜晶体结构的影响 | 第48-50页 |
| 3.3.2 氧分压对Sn掺杂Ga_2O_3薄膜晶体结构的影响 | 第50-52页 |
| 3.3.3 激光频率对Sn掺杂Ga_2O_3薄膜晶体结构的影响 | 第52-53页 |
| 3.4 相变结果总结及原因 | 第53-55页 |
| 3.4.1 相变的结果总结 | 第53-54页 |
| 3.4.2 相变的原因 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 Sn掺杂Ga_2O_3薄膜的物理性质 | 第57-70页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 制备薄膜的实验流程 | 第57-59页 |
| 4.2.1 前期的准备 | 第57-58页 |
| 4.2.2 沉积的过程 | 第58-59页 |
| 4.3 Sn掺杂Ga_2O_3薄膜的物理性质 | 第59-67页 |
| 4.3.1 C面蓝宝石衬底 | 第59-62页 |
| 4.3.2 M面蓝宝石衬底 | 第62-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第五章 Sn掺杂Ga_2O_3薄膜日盲探测器 | 第70-83页 |
| 5.1 引言 | 第70-71页 |
| 5.2 日盲探测器器件的制备 | 第71页 |
| 5.3 日盲探测器器件的性能 | 第71-80页 |
| 5.3.1 Sn掺杂β-Ga_2O_3薄膜日盲探测器 | 第72-76页 |
| 5.3.2 Sn掺杂α-Ga_2O_3薄膜日盲探测器 | 第76-78页 |
| 5.3.3 Sn掺杂ε-Ga_2O_3薄膜日盲探测器 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第六章 Zn接杂Ga_2O_3薄膜日盲探测器 | 第83-93页 |
| 6.1 引言 | 第83页 |
| 6.2 结果与讨论 | 第83-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 第七章 总结与展望 | 第93-95页 |
| 7.1 总结 | 第93-94页 |
| 7.2 展望 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果列表 | 第96-97页 |
