| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 概述 | 第12-20页 |
| 1.1 课题背景 | 第12-14页 |
| 1.2 半导体产业介绍 | 第14-16页 |
| 1.3 集成电路制造工艺概况 | 第16-18页 |
| 1.4 课题的目的和意义 | 第18-19页 |
| 1.5 论文的主要内容 | 第19-20页 |
| 第二章 浅槽隔离中热氧化层的工艺流程介绍 | 第20-28页 |
| 2.1 半导体隔离技术的介绍 | 第20-23页 |
| 2.2 半导体浅槽隔离中高温热氧化和高温热退火的介绍 | 第23-25页 |
| 2.2.1 高温热氧化和高温热退火的应用范围 | 第23-24页 |
| 2.2.2 高温炉管热氧化和热退火的内容 | 第24-25页 |
| 2.3 高温炉管的介绍 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 浅槽隔离中氧化层缺陷的表象和成因分析 | 第28-37页 |
| 3.1 问题描述 | 第28-30页 |
| 3.2 90 纳米工艺中高温热氧化和高温热退火的反应过程介绍 | 第30-32页 |
| 3.3 浅槽隔离中的氧化层缺陷形成原因的分析 | 第32-34页 |
| 3.3.1 氧化层缺陷的特征表现 | 第32页 |
| 3.3.2 氧化层缺陷的形成原因的分析 | 第32-34页 |
| 3.4 氧化层缺陷形成的极限氧化物厚度分析 | 第34-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 浅槽隔离中氧化层缺陷解决方案的研究 | 第37-50页 |
| 4.1 浅槽隔离中氧化层缺陷解决方案的研究 | 第37-47页 |
| 4.1.1 高温热退火处理方法改变的研究 | 第37-38页 |
| 4.1.2 高温热氧化和高温热退火的DOE 实验设计方案 | 第38-42页 |
| 4.1.3 用合并的高温热氧化和高温热退火程式来完全解决氧化层缺陷 | 第42-47页 |
| 4.2 氧化层缺陷解决方案的量产检验 | 第47-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第55-57页 |
