| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题的研究意义 | 第8-10页 |
| 1.2 功率MOSFET研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 功率MOSFET的发展过程 | 第10-13页 |
| 1.2.2 功率MOSFET的新结构及新材料发展 | 第13-14页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 功率MOSFET的工作原理和重要参数 | 第16-27页 |
| 2.1 功率MOSFET的工作原理 | 第16-21页 |
| 2.1.1 击穿电压 | 第17-18页 |
| 2.1.2 导通电阻 | 第18-20页 |
| 2.1.3 器件电容 | 第20-21页 |
| 2.2 UMOSFET的仿真设计及工艺流程 | 第21-24页 |
| 2.3 UMOSFET的电性能参数测试原理 | 第24-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 60VUMOSFET芯片优化设计与仿真 | 第27-44页 |
| 3.1 60 VUMOSFET元胞的工艺和结构设计 | 第27-36页 |
| 3.1.1 外延层的优化设计及仿真 | 第27-29页 |
| 3.1.2 沟槽深度的优化设计及仿真 | 第29-32页 |
| 3.1.3 栅氧化层厚度的优化设计及仿真 | 第32-34页 |
| 3.1.4 Pbody的优化设计及仿真 | 第34-36页 |
| 3.2 60 VUMOSFETJTE结构边端的设计 | 第36-41页 |
| 3.2.1 JTE注入剂量 | 第37-39页 |
| 3.2.2 P区域宽度 | 第39-41页 |
| 3.3 器件版图的设计 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 60VUMOSFET的新结构设计与仿真 | 第44-54页 |
| 4.1 UMOSFET带P-Pillar区的设计与优化 | 第44-45页 |
| 4.2 P-Pillar注入剂量优化 | 第45-48页 |
| 4.3 P-Pillar多次注入优化 | 第48-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论及未来工作 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59页 |
