平面功率半导体器件终端技术的仿真研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 功率半导体分立器件的发展及趋势 | 第10页 |
| 1.3 平面结终端结构的发展概况 | 第10-11页 |
| 1.4 本文的主要研究内容及意义 | 第11-13页 |
| 第2章 平面终端简介 | 第13-22页 |
| 2.1 击穿电压 | 第13-16页 |
| 2.1.1 碰撞电离系数的幂定律 | 第13-14页 |
| 2.1.2 非穿通结构二极管耐压的设计 | 第14页 |
| 2.1.3 影响击穿电压的因素 | 第14-16页 |
| 2.2 平面终端技术的相关介绍 | 第16-22页 |
| 2.2.1 场板 | 第17-19页 |
| 2.2.2 场限环 | 第19-22页 |
| 第3章 器件参数设计的分析 | 第22-35页 |
| 3.1 器件纵向结构参数的确定 | 第22-23页 |
| 3.1.1 纵向参数设计 | 第22页 |
| 3.1.2 相关参数的初步设计 | 第22-23页 |
| 3.2 场限环相关的设计方法 | 第23-29页 |
| 3.2.1 数值计算法 | 第23-24页 |
| 3.2.2 解析模型法 | 第24-28页 |
| 3.2.3 多重场限环的环间距计算 | 第28-29页 |
| 3.3 仿真工具的介绍 | 第29-32页 |
| 3.3.1 DeckBuild | 第30页 |
| 3.3.2 Athena | 第30-31页 |
| 3.3.3 Atlas | 第31页 |
| 3.3.4 可视化工具TonyPlot | 第31-32页 |
| 3.4 结终端技术的相关工艺简介 | 第32-35页 |
| 3.4.1 热氧化 | 第32-33页 |
| 3.4.2 离子注入 | 第33页 |
| 3.4.3 光刻 | 第33-34页 |
| 3.4.4 扩散 | 第34-35页 |
| 第4章 平面结终端结构参数设计 | 第35-50页 |
| 4.1 无终端结构的仿真分析 | 第35-37页 |
| 4.2 单环的仿真分析 | 第37-42页 |
| 4.2.1 环宽的确定 | 第37-38页 |
| 4.2.2 环间距以及优化标准的确定 | 第38-42页 |
| 4.3 多重浮空场环结构参数设计 | 第42-49页 |
| 4.3.1 多重浮空场限环间距的分析 | 第42-43页 |
| 4.3.2 场限环个数的确定 | 第43-49页 |
| 4.4 多重浮空场限环结构的最终参数 | 第49-50页 |
| 第5章 场板设计及最终参数优化 | 第50-58页 |
| 5.1 场板结构的分析设计 | 第50-53页 |
| 5.1.1 带有场板的终端结构设计 | 第50-52页 |
| 5.1.2 氧化层厚度的优化 | 第52-53页 |
| 5.1.3 沟道截至环的设计 | 第53页 |
| 5.2 终端结构最终参数的确定 | 第53-58页 |
| 第6章 结论 | 第58-60页 |
| 6.1 结论 | 第58页 |
| 6.2 工作展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 在学研究成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
