| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 雪崩光电二极管的发展 | 第9-13页 |
| 1.2.1 雪崩光电二极管结构 | 第9-12页 |
| 1.2.2 雪崩光电二极管材料体系 | 第12-13页 |
| 1.3 雪崩光电二极管的基本理论 | 第13-17页 |
| 1.3.1 雪崩光电二极管工作原理和碰撞离化 | 第13-14页 |
| 1.3.2 雪崩光电二极管性能参数 | 第14-17页 |
| 1.4 本论文主要工作及创新点 | 第17-19页 |
| 第二章 InAlAs/InGaAs红外单光子雪崩光电二极管特性 | 第19-29页 |
| 2.1 InP基单光子雪崩光电二极管的工作原理和应用 | 第19页 |
| 2.2 自反馈单光子雪崩光电二极管 | 第19-28页 |
| 2.2.1 自反馈单光子探测器结构 | 第20-21页 |
| 2.2.2 淬灭层动态特性模型 | 第21-24页 |
| 2.2.3 器件工作特性分析 | 第24-27页 |
| 2.2.4 SPAD响应时间与过偏压的关系 | 第27-28页 |
| 2.3 小结 | 第28-29页 |
| 第三章 InAlAs/InGaAs红外单光子雪崩光电二极管特性 | 第29-41页 |
| 3.1 多倍增层结构雪崩光电二极管 | 第29-32页 |
| 3.1.1 电场分布 | 第30-31页 |
| 3.1.2 暗电流特性 | 第31-32页 |
| 3.2 增益-过剩噪声模型 | 第32-34页 |
| 3.3 碰撞离化数目空间分布 | 第34-37页 |
| 3.4 考虑产生复合过程和表面泄露电流对过剩噪声的影响 | 第37-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 GaN雪崩光电二极管及其辐照特性 | 第41-55页 |
| 4.1 GaN基雪崩光电二极管介绍 | 第41-42页 |
| 4.2 GaN基雪崩光电二极管光电特性仿真 | 第42-45页 |
| 4.2.1 I-V特性曲线和电场分布 | 第42-43页 |
| 4.2.2 氮化物中的极化效应 | 第43-45页 |
| 4.3 GaN基雪崩光电二极管质子辐照仿真 | 第45-49页 |
| 4.3.1 空间辐照环境 | 第45页 |
| 4.3.2 基于SRIM的仿真计算 | 第45-49页 |
| 4.4 GaN基雪崩光电二极管暗电流特性 | 第49-53页 |
| 4.4.1 暗电流计算模型 | 第49-51页 |
| 4.4.2 结果与讨论 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 主要结论与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 主要结论与创新点 | 第55-56页 |
| 5.2 研究展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 在学期间的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
