应变调控压电半导体器件的理论研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第9-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 纤锌矿氧化锌纳米线 | 第10-12页 |
| 1.3 氧化锌纳米线压电电势理论模型 | 第12-15页 |
| 1.4 两种方向的压电势 | 第15-17页 |
| 1.5 本论文主要工作和创新点 | 第17-18页 |
| 第二章 压电电子学理论 | 第18-30页 |
| 2.1 半导体物理简介 | 第18-21页 |
| 2.2 压电半导体PN结 | 第21-26页 |
| 2.2.1 理想PN结的突变结模型 | 第21-23页 |
| 2.2.2 压电半导体PN结 | 第23-26页 |
| 2.3 金属压电半导体接触 | 第26-29页 |
| 2.3.1 金属半导体接触整流理论 | 第27-28页 |
| 2.3.2 金属压电半导体接触 | 第28-29页 |
| 2.4 小结 | 第29-30页 |
| 第三章 压电半导体器件中的应变调控 | 第30-47页 |
| 3.1 压电半导体PIN结 | 第30-37页 |
| 3.1.1 PIN结构突变结模型 | 第30-32页 |
| 3.1.2 压电半导体PIN结理论模型 | 第32-37页 |
| 3.2 压电隧道二极管 | 第37-43页 |
| 3.2.1 隧道二极管理论 | 第37-42页 |
| 3.2.2 压电隧道二极管理论模型 | 第42-43页 |
| 3.3 压电半导体异质结 | 第43-46页 |
| 3.3.1 半导体异质结理论 | 第43-45页 |
| 3.3.2 压电半导体异质结 | 第45-46页 |
| 3.4 小结 | 第46-47页 |
| 第四章 压电半导体器件的应用 | 第47-58页 |
| 4.1 压电半导体PIN结模型的应用 | 第47-54页 |
| 4.1.1 压电半导体PIN二极管微波器件 | 第47-50页 |
| 4.1.2 压电半导体PIN光探测器 | 第50-52页 |
| 4.1.3 压电半导体PINLED | 第52-54页 |
| 4.2 压电隧道二极管模型的应用 | 第54-56页 |
| 4.3 压电半导体异质结的应用 | 第56-57页 |
| 4.4 小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 结论 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 在学期间的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
