| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 概述 | 第9-10页 |
| 1.2 GaN基材料晶体结构及其性质 | 第10-15页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 物理性质 | 第11-12页 |
| 1.2.3 自发极化和压电效应 | 第12-13页 |
| 1.2.4 GaN的带隙 | 第13-14页 |
| 1.2.5 GaN的光电性质 | 第14-15页 |
| 1.3 GaN基LED简介 | 第15-19页 |
| 1.3.1 LED的发光原理 | 第15页 |
| 1.3.2 GaN基LED外延结构 | 第15-17页 |
| 1.3.3 衬底的选择 | 第17-19页 |
| 1.4 研究目的及研究内容 | 第19-21页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第19页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 GaN的MOCVD生长原理和常见表征方法 | 第21-31页 |
| 2.1 MOCVD材料生长GaN原理 | 第21-22页 |
| 2.2 MOCVD设备组成 | 第22-25页 |
| 2.2.1 气体输运系统 | 第22-23页 |
| 2.2.2 反应室及加热系统 | 第23-24页 |
| 2.2.3 原位监测系统 | 第24-25页 |
| 2.2.4 尾气处理系统 | 第25页 |
| 2.2.5 安全系统 | 第25页 |
| 2.3 材料表征方法 | 第25-31页 |
| 2.3.1 高分辨X射线衍射仪 | 第25-27页 |
| 2.3.2 光致发光谱仪 | 第27页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第27-31页 |
| 第三章 N_2/H_2混合气生长GaN垒层对蓝光InGaN/GaN多量子阱表面形貌的影响 | 第31-41页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 实验部分 | 第31-32页 |
| 3.3 结果与分析 | 第32-38页 |
| 3.3.1 XRD分析 | 第32-34页 |
| 3.3.2 多量子阱外延片AFM分析 | 第34-38页 |
| 3.3.6 多量子阱外延片PL分析 | 第38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-41页 |
| 第四章 H_2/N_2混合气生长绿光InGaN/GaN多量子阱外延片的研究 | 第41-51页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 试验样品的制备 | 第42页 |
| 4.3 结果与分析 | 第42-49页 |
| 4.3.1 XRD分析 | 第42-44页 |
| 4.3.2 多量子阱外延片AFM分析 | 第44-48页 |
| 4.3.3 多量子阱外延片PL分析 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 结论与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 结论 | 第51页 |
| 5.2 展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-65页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |