| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 第一章 钙钛矿的物化性质和应用简介 | 第10-19页 |
| 1.1 钙钛矿的基本概述 | 第10-12页 |
| 1.1.1 钙钛矿材料的结构 | 第10-11页 |
| 1.1.2 钙钛矿的基本性质 | 第11-12页 |
| 1.2 钙钛矿材料的应用 | 第12-18页 |
| 1.3 本论文的研究内容和意义 | 第18-19页 |
| 第二章 CsPbBr_3微纳米结构的合成及性质研究 | 第19-28页 |
| 2.1 实验试剂和仪器 | 第19页 |
| 2.2 不同形貌CsPbBr_3纳米晶体的合成及基本性质研究 | 第19-28页 |
| 2.2.1 高温热注入法 | 第19-23页 |
| 2.2.2 室温析晶法 | 第23-25页 |
| 2.2.3 化学气相沉积法 | 第25-27页 |
| 2.2.4 三种方法制备CsPbBr_3纳米晶体的比较 | 第27-28页 |
| 第三章 CsPbBr_3钙钛矿薄膜的两步法制备及其物性研究 | 第28-43页 |
| 3.1 两步法制备CsPbBr_3纳米晶体流程及方法 | 第28-29页 |
| 3.1.1 衬底的处理 | 第28页 |
| 3.1.2 两步法制备薄膜 | 第28-29页 |
| 3.2 退火温度对CsPbBr_3薄膜光学性质及表面形貌影响的研究 | 第29-32页 |
| 3.2.1 退火温度对表面形貌的影响 | 第29-30页 |
| 3.2.2 物相结构分析 | 第30-31页 |
| 3.2.3 光学性质的影响研究 | 第31-32页 |
| 3.3 CsPbBr_3薄膜的物性研究 | 第32-42页 |
| 3.3.1 样品表面形貌分析 | 第32页 |
| 3.3.2 样品结晶性及组分分析 | 第32-33页 |
| 3.3.3 样品物相结构分析 | 第33-34页 |
| 3.3.4 样品光电子能谱分析 | 第34-35页 |
| 3.3.5 光学性质分析 | 第35-41页 |
| 3.3.6 光学稳定性分析 | 第41-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 全无机CsPbBr_3薄膜在光发射器件中的应用 | 第43-55页 |
| 4.1 P-I-N型电注入异质结LED器件的制备及其研究 | 第44-47页 |
| 4.1.1 ZnO薄膜材料的制备 | 第44页 |
| 4.1.2 P-I-N型异质结的制备 | 第44-45页 |
| 4.1.3 P-I-N电注入器件电致发光性质研究 | 第45-47页 |
| 4.2 CsPbBr_3基荧光粉型全无机白光LED器件的制备及其研究 | 第47-52页 |
| 4.2.1 荧光粉型LED的制备 | 第47-48页 |
| 4.2.2 不同电流下电致发光性质分析 | 第48页 |
| 4.2.3 荧光粉型器件原理及性能分析 | 第48-52页 |
| 4.3 两种结构对比分析 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 总结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 在学期间研究成果发表情况 | 第66页 |
