| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 研究背景、现状及意义 | 第11-20页 |
| 1.3 本论文的主要工作及结构安排 | 第20-22页 |
| 2 半导体光学微腔中的光-物质耦合作用 | 第22-37页 |
| 2.1 激子概述 | 第22-23页 |
| 2.2 半导体纳米结构光学微腔 | 第23-28页 |
| 2.3 半导体微腔中光-物质耦合效应的理论研究 | 第28-37页 |
| 3 半导体硫化物的制备、表征与测试系统 | 第37-47页 |
| 3.1 半导体硫化物的生长制备 | 第37-39页 |
| 3.2 半导体硫化物纳米结构的形貌表征 | 第39-41页 |
| 3.3 自搭建微区反射/荧光/角分辨光谱测试系统 | 第41-44页 |
| 3.4 时间分辨荧光光谱测试系统 | 第44-47页 |
| 4 二硫化钨(WS_2)纳米薄片中激子极化激元的色散 | 第47-62页 |
| 4.1 引言 | 第47-48页 |
| 4.2 WS_2的性质、自构型微腔的制备及实验配置 | 第48-50页 |
| 4.3 WS_2纳米薄片的结构特性 | 第50-52页 |
| 4.4 WS_2自构型F-P微腔中激子极化激元的色散 | 第52-60页 |
| 4.5 小结 | 第60-62页 |
| 5 硫化镉(CdS)纳米结构中基于应变的能带调控研究 | 第62-82页 |
| 5.1 引言 | 第62-63页 |
| 5.2 周期性弯曲CdS纳米结构的制备及实验配置 | 第63-66页 |
| 5.3 应变调制下CdS纳米线/带中激子移动行为的研究 | 第66-78页 |
| 5.4 应变调制下CdS纳米带中激子动力学行为的研究 | 第78-80页 |
| 5.5 小结 | 第80-82页 |
| 6 CdS纳米带中的微腔作用及激射的应变调控 | 第82-99页 |
| 6.1 引言 | 第82-85页 |
| 6.2 样品制备及实验配置 | 第85页 |
| 6.3 CdS纳米带中的微腔及光-物质强耦合作用 | 第85-91页 |
| 6.4 应变调制作用下CdS纳米带中激射行为的研究 | 第91-97页 |
| 6.5 小结 | 第97-99页 |
| 7 全文总结与工作展望 | 第99-103页 |
| 7.1 本论文工作总结 | 第99-100页 |
| 7.2 下一步工作展望 | 第100-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-119页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的主要论文 | 第119页 |
