| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 半赫斯勒半导体材料 | 第9-10页 |
| 1.2 半赫斯勒拓扑超胞LuAuSn/LuPtBi的能带反转调控 | 第10-11页 |
| 1.3 镧系磁性材料bccGd在压强下的磁结构 | 第11页 |
| 1.4 本论文的结构和研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 理论方法 | 第13-20页 |
| 2.1 引言 | 第13页 |
| 2.2 哈特利-福克方程 | 第13-14页 |
| 2.2.1 非相对论近似 | 第13页 |
| 2.2.2 绝热近似 | 第13-14页 |
| 2.2.3 哈特利-福克近似 | 第14页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第14-15页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第15页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第15页 |
| 2.4 交换关联泛函 | 第15-18页 |
| 2.4.1 局域密度近似 | 第16页 |
| 2.4.2 广义梯度近似 | 第16页 |
| 2.4.3 DFT+U方法 | 第16-17页 |
| 2.4.4 杂化泛函方法 | 第17-18页 |
| 2.5 赝势 | 第18页 |
| 2.6 本文中的计算软件 | 第18-20页 |
| 2.6.1 VASP简介 | 第18-19页 |
| 2.6.2 Quantum Espresso 简介 | 第19-20页 |
| 第三章 27种新型半赫斯勒半导体带隙的杂化泛函修正 | 第20-32页 |
| 3.1 引言 | 第20页 |
| 3.2 计算参数及主要测试 | 第20-23页 |
| 3.3 PBE泛函和HSE06泛函下半赫斯勒半导体的晶格参数和带隙值 | 第23-25页 |
| 3.4 CoTiZ(Z=P、As和Sb)组HSE06泛函修正的带隙 | 第25-27页 |
| 3.5 RhTiZ(Z=P、As和Sb)组中HSE06泛函修正的带隙 | 第27-28页 |
| 3.6 杂化泛函中交换作用项比例的选择 | 第28-29页 |
| 3.7 半赫斯勒半导体对Z位和X位电负性差值的反常依赖 | 第29-31页 |
| 3.8 小结 | 第31-32页 |
| 第四章 半赫斯勒拓扑超胞LuAuSn/LuPtBi的能带反转调控 | 第32-40页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 计算参数 | 第32页 |
| 4.3 半赫斯勒半金属LuAuSn和LuPtBi的能带结构 | 第32-34页 |
| 4.4 [111]和[100]LuAuSn/LuPtBi超胞的稳定性探究 | 第34-35页 |
| 4.5 [111]LuAuSn/LuPtBi拓扑超胞的能带反转机制研究 | 第35-37页 |
| 4.6 [111]LuAuSn/LuPtBi超胞的反转能带演变 | 第37-39页 |
| 4.7 小结 | 第39-40页 |
| 第五章 压强诱导下的bccGd的磁结构相变 | 第40-50页 |
| 5.1 引言 | 第40页 |
| 5.2 计算参数 | 第40-41页 |
| 5.3 BccGd的基态性质 | 第41-43页 |
| 5.4 压强变化下bccGd的晶体结构 | 第43页 |
| 5.5 压强作用下bccGd的磁矩变化 | 第43-45页 |
| 5.6 压强作用下bccGd的费米面变化 | 第45-47页 |
| 5.7 压强作用下bccGd的[011]方向反铁磁相的证实 | 第47-49页 |
| 5.8 小结 | 第49-50页 |
| 第六章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 6.1 结论 | 第50页 |
| 6.2 展望 | 第50-52页 |
| 附录 | 第52-58页 |
| A.1 HSE06杂化泛函计算能带的K点产生程序HSE06_Kpoint_Generation.f90 | 第52-53页 |
| A.2 轨道投影的能带产生程序Orbital_projection.f90 | 第53-55页 |
| A.3 从Birch-Murnaghan状态方程获取体积比程序Birch-Murnaghan_EOS.f90 | 第55-56页 |
| A.4 KroningPenney模型解释压强下DOS图的变化 | 第56-58页 |
| 在学期间的研究成果 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
