| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-34页 |
| 1.1 垂直结构AlGaN/GaN CAVET的研究背景及意义 | 第13-18页 |
| 1.2 垂直结构AlGaN/GaN CAVET的工作原理 | 第18-22页 |
| 1.3 自支撑GaN衬底的研究进展 | 第22-27页 |
| 1.4 AlGaN/GaN CAVET的研究概况及技术难题 | 第27-32页 |
| 1.5 本文的主要工作和内容安排 | 第32-34页 |
| 2 AlGaN/GaN CAVET理论基础和异质结外延生长基本原理 | 第34-63页 |
| 2.1 Ⅲ族氮化物晶体结构和极化效应 | 第34-40页 |
| 2.2 AlGaN/GaN异质结2DEG产生机理以及来源 | 第40-42页 |
| 2.3 金属有机物气相外延沉积(MOCVD) | 第42-51页 |
| 2.4 金属与半导体接触原理和测试表征 | 第51-59页 |
| 2.5 材料和器件测试表征设备 | 第59-62页 |
| 2.6 本章小结 | 第62-63页 |
| 3 Sapphire和GaN衬底AlGaN/GaN HEMT外延以及器件制作 | 第63-98页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT外延优化生长以及器件表征 | 第63-77页 |
| 3.2 基于sapphire和自支撑GaN衬底HEMT器件特性对比 | 第77-83页 |
| 3.3 钝化层LPCVD SiNx厚度对HEMT器件特性的影响 | 第83-91页 |
| 3.4 Si离子注入减小欧姆接触的接触电阻研究 | 第91-95页 |
| 3.5 本章小结 | 第95-98页 |
| 4 Al离子注入GaN作为CBL的CAVET外延以及器件特性 | 第98-121页 |
| 4.1 Al离子注入形成高阻GaN作为电流阻挡层验证实验 | 第98-105页 |
| 4.2 垂直结构AlGaN/GaN CAVET器件工艺制作流程 | 第105-111页 |
| 4.3 Al离子注入GaN作为CBL垂直结构CAVET器件特性表征 | 第111-116页 |
| 4.4 低掺杂自支撑GaN衬底提高CAVET器件耐压特性研究 | 第116-119页 |
| 4.5 本章小结 | 第119-121页 |
| 5 Mg掺杂p-GaN作为CBL的CAVET外延以及器件特性 | 第121-132页 |
| 5.1 LT-GaN和AlN阻挡层优化p-GaN Mg记忆效应研究 | 第122-126页 |
| 5.2 Mg掺杂p-GaN作为CBL垂直结构CAVET器件特性研究 | 第126-131页 |
| 5.3 本章小结 | 第131-132页 |
| 6 Mg离子注入p-GaN作为CBL的CAVET外延以及器件特性 | 第132-142页 |
| 6.1 Mg离子注入p-GaN作为CBL垂直结构CAVET器件特性研究 | 第133-138页 |
| 6.2 不同CBL垂直结构AlGaN/GaN CAVET电流崩塌特性研究 | 第138-140页 |
| 6.3 本章小结 | 第140-142页 |
| 7 总结与展望 | 第142-145页 |
| 致谢 | 第145-147页 |
| 参考文献 | 第147-167页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第167-170页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请专利目录 | 第170-171页 |
