有关半导体氧化层可靠性研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-13页 |
| 1.1 半导体技术的发展历程 | 第6-7页 |
| 1.2 半导体制造技术要点 | 第7-10页 |
| 1.3 半导体中可靠性问题 | 第10-12页 |
| 1.4 研究氧化层可靠性问题的重要性 | 第12页 |
| 1.5 课题内容、背景与意义 | 第12-13页 |
| 第二章 氧化层工艺特点 | 第13-20页 |
| 2.1 氧化层的工艺流程 | 第13-16页 |
| 2.1.1 炉管中氧化层的生长方法 | 第13-15页 |
| 2.1.2 CVD 生长氧化层的方法 | 第15-16页 |
| 2.2 硅与二氧化硅系统中的电荷特性 | 第16-20页 |
| 第三章 氧化层可靠性评估 | 第20-31页 |
| 3.1 氧化层退化现象 | 第20页 |
| 3.2 氧化层可靠性测试 | 第20-29页 |
| 3.2.1 氧化层可靠性测试结构 | 第20-22页 |
| 3.2.2 栅氧化层可靠性的测试方法 | 第22-28页 |
| 3.2.3 栅氧化层可靠性的测试仪器 | 第28-29页 |
| 3.3 可靠性测试面临的挑战 | 第29-31页 |
| 第四章 生产工艺对栅氧可靠性的影响 | 第31-44页 |
| 4.1 不同的氧化工艺对栅氧可靠性的影响 | 第31-33页 |
| 4.1.1 氧化工艺流程 | 第31-32页 |
| 4.1.2 不同氧化工艺流程对于栅氧可靠性的影响 | 第32-33页 |
| 4.2 清洗工艺对栅氧可靠性的影响 | 第33-44页 |
| 4.2.1 清洗工艺工艺流程 | 第34-35页 |
| 4.2.2 洗清工艺流程对于栅氧可靠性的影响 | 第35-44页 |
| 第五章 结论与意义 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
