基于DMD的扫描光刻系统的畸变误差分析与校正技术的研究
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-12页 |
| 1.2 无掩模光刻技术 | 第12-13页 |
| 1.3 其它掩模光刻技术 | 第13-16页 |
| 1.3.1 电子束光刻技术 | 第13-14页 |
| 1.3.2 离子束刻蚀技术 | 第14-15页 |
| 1.3.3 激光干涉光刻技术 | 第15-16页 |
| 1.3.4 总结 | 第16页 |
| 1.4 论文主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 基于DMD的无掩模光刻系统 | 第18-32页 |
| 2.1 系统的总体构架 | 第18页 |
| 2.2 前端照明系统 | 第18-21页 |
| 2.2.1 光源 | 第18-19页 |
| 2.2.2 匀光系统 | 第19-21页 |
| 2.2.3 透镜准直系统 | 第21页 |
| 2.3 DMD数字掩模 | 第21-24页 |
| 2.3.1 DMD微镜单元工作原理 | 第22-23页 |
| 2.3.2 DMD微镜单元的特点 | 第23-24页 |
| 2.4 光学成像系统 | 第24-26页 |
| 2.4.1 光学结构的选择 | 第25页 |
| 2.4.2 投影物镜的数值孔径 | 第25-26页 |
| 2.5 无掩模光刻系统的扫描原理 | 第26-29页 |
| 2.5.1 无掩模光刻扫描过程 | 第26-27页 |
| 2.5.2 累加曝光点的曝光剂量分析 | 第27-28页 |
| 2.5.3 对单个像素进行成像模拟 | 第28-29页 |
| 2.6 灰度光刻工艺 | 第29-30页 |
| 2.7 半导体光刻工艺 | 第30-31页 |
| 2.8 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 无掩模光刻系统的畸变特性 | 第32-42页 |
| 3.1 畸变 | 第32页 |
| 3.2 光刻系统畸变量的数学描述 | 第32-34页 |
| 3.3 畸变的测量方法 | 第34-36页 |
| 3.3.1 畸变的软件测量方法 | 第34-35页 |
| 3.3.2 畸变的工艺测量方法 | 第35-36页 |
| 3.4 对累加曝光点的软件模拟 | 第36-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 对无掩模光刻系统畸变的校正方法 | 第42-53页 |
| 4.1 对畸变中心位置偏移的校正 | 第42-44页 |
| 4.2 对累加曝光点尺寸的校正 | 第44-46页 |
| 4.2.1 对累加曝光点尺寸误差校正的方法 | 第44-45页 |
| 4.2.3 对中心位置偏差的进一步调整 | 第45-46页 |
| 4.3 模拟与实验结果 | 第46-52页 |
| 4.3.1 无掩模光刻系统的搭建 | 第46-47页 |
| 4.3.2 模拟与实验结果 | 第47-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 总结 | 第53页 |
| 5.2 创新点 | 第53页 |
| 5.3 展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 在学期间公开发表论文及著作情况 | 第61页 |
