| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-32页 |
| 1.1 电压瞬变和浪涌 | 第8-9页 |
| 1.2 电压瞬变和浪涌的防护 | 第9-11页 |
| 1.3 电压瞬变和浪涌防护的国际标准 | 第11-16页 |
| 1.3.1 IEC 61000-4-2(ESD) | 第11-12页 |
| 1.3.2 IEC 61000-4-4(EFT) | 第12-14页 |
| 1.3.3 IEC 61000-4-5(浪涌) | 第14-16页 |
| 1.4 瞬变电压抑制二极管(TVS) | 第16-21页 |
| 1.4.1 TVS二极管的电参数 | 第16-19页 |
| 1.4.2 TVS二极管保护电路的工作原理 | 第19-21页 |
| 1.5 超低电容TVS | 第21-29页 |
| 1.5.1 TVS二极管电容的影响 | 第21-22页 |
| 1.5.2 超低电容TVS | 第22-27页 |
| 1.5.2.1 超低电容TVS的电路和伏安特性 | 第22-26页 |
| 1.5.2.2 超低电容TVS的电容 | 第26-27页 |
| 1.5.3 超低电容TVS的现状 | 第27-29页 |
| 1.6 双深槽高电阻率外延TVS的特点 | 第29-32页 |
| 1.6.1 超低电容TVS的实现方式 | 第29页 |
| 1.6.2 双深槽高电阻率外延TVS的实现方式 | 第29-30页 |
| 1.6.3 双深槽高电阻率外延TVS的优缺点 | 第30-32页 |
| 第二章 双深槽高电阻率外延TVS的基本结构和工艺流程 | 第32-42页 |
| 2.1 TVS的基本结构 | 第32页 |
| 2.2 TVS的工艺流程 | 第32-42页 |
| 第三章 TVS工艺中的关键技术研究 | 第42-93页 |
| 3.1 在高掺杂P型衬底上生长超高阻或100-400Ω.cm N型外延层 | 第42-54页 |
| 3.1.1 高电阻率外延工艺的研究现状 | 第42-44页 |
| 3.1.2 本论文外延工艺 | 第44-54页 |
| 3.2 通过深槽在外延层下与高掺杂P型衬底形成雪崩二极管 | 第54-68页 |
| 3.2.1 影响雪崩二极管V_(BR)的因素 | 第54-56页 |
| 3.2.1.1 衬底掺杂浓度的影响 | 第54页 |
| 3.2.1.2 多晶硅退火条件的影响 | 第54-56页 |
| 3.2.2 影响雪崩二极管I_R的因素 | 第56-68页 |
| 3.2.2.1 多晶硅淀积温度和退火条件的影响 | 第56-60页 |
| 3.2.2.2 多晶硅淀积温度和退火条件影响的机理初探 | 第60-65页 |
| 3.2.2.3 衬底氧含量和脱氧工艺条件的影响 | 第65页 |
| 3.2.2.4 衬底电阻率的影响 | 第65-66页 |
| 3.2.2.5 深槽形貌的影响 | 第66-68页 |
| 3.3 LCTVS电容随外加电压的变化 | 第68-93页 |
| 3.3.1 D3电容随外加电压的变化 | 第68页 |
| 3.3.2 D2电容随外加电压的变化 | 第68-73页 |
| 3.3.2.1 D2势垒电容随外加电压的变化 | 第70-71页 |
| 3.3.2.2 D2扩散电容随外加电压的变化 | 第71-73页 |
| 3.3.3 降低D2扩散电容的方法 | 第73-85页 |
| 3.3.3.1 少子寿命与辐照计量的关系 | 第75-83页 |
| 3.3.3.2 电子辐照对LCTVS的电容随外加电压变化的改善 | 第83-85页 |
| 3.3.4 电子辐照对D2 V_F的影响 | 第85-87页 |
| 3.3.5 电子辐照对I_R的影响 | 第87-93页 |
| 3.3.5.1 电子辐照对D3 I_R的影响 | 第87页 |
| 3.3.5.2 电子辐照对D1 I_R的影响 | 第87-91页 |
| 3.3.5.2.1 电子辐照对产品 | 第87-89页 |
| 3.3.5.2.2 电子辐照对产品 | 第89-90页 |
| 3.3.5.2.3 电子辐照对D1 I_R的影响的机理初探 | 第90-91页 |
| 3.3.5.3 电子辐照对D1 V_(BR)和D3 V_F的影响 | 第91-93页 |
| 第四章 结论和展望 | 第93-97页 |
| 4.1 结论 | 第93-94页 |
| 4.2 本论文TVS工艺的创新点 | 第94页 |
| 4.3 展望 | 第94-97页 |
| 4.3.1 减小N型外延层的厚度 | 第94-95页 |
| 4.3.2 采用更低电阻率的衬底 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
