| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 研究报告 | 第12-110页 |
| 第一章 InP单晶制备及工艺热场对单晶生长的影响 | 第13-26页 |
| 1.1 InP材料及生长技术 | 第13-17页 |
| 1.1.1 InP材料及其应用 | 第13-15页 |
| 1.1.2 InP材料制备 | 第15-17页 |
| 1.2 单晶炉工艺热场 | 第17-24页 |
| 1.2.3 热场 | 第18-19页 |
| 1.2.4 热场对晶体生长的影响 | 第19-21页 |
| 1.2.5 决定热场的因素 | 第21-22页 |
| 1.2.6 晶体生长过程面临的热场问题 | 第22-24页 |
| 1.3 课题的主要研究工作 | 第24-26页 |
| 第二章 单晶炉热场设计理论 | 第26-38页 |
| 2.1 热场温度梯度与晶体生长 | 第26-28页 |
| 2.2 晶体物态变化时的温度变化 | 第28-32页 |
| 2.2.1 晶体熔化与结晶状态 | 第28-30页 |
| 2.2.2 晶体的结晶热力学与动力学过程 | 第30-31页 |
| 2.2.3 生长界面稳定性与热场的关系 | 第31-32页 |
| 2.3 晶体生长方向与热场的关系 | 第32页 |
| 2.4 晶体生长的热场配置及设计 | 第32-37页 |
| 2.4.1 热场配置 | 第32-33页 |
| 2.4.2 单晶炉热场设计 | 第33-37页 |
| 2.5 小结 | 第37-38页 |
| 第三章 Cz-50型InP高压单晶炉设计 | 第38-51页 |
| 3.1 Cz-50型InP单晶炉的整体结构 | 第38-40页 |
| 3.2 原位合成结构 | 第40-45页 |
| 3.2.1 总体设计方案 | 第40-41页 |
| 3.2.2 磷泡升降机构 | 第41-42页 |
| 3.2.3 热偶升降机构 | 第42-43页 |
| 3.2.4 观察窗防污染装置 | 第43-45页 |
| 3.3 单晶炉传动机构 | 第45-46页 |
| 3.4 真空、充气放气系统 | 第46页 |
| 3.5 水冷系统 | 第46-47页 |
| 3.6 电气控制系统 | 第47-49页 |
| 3.6.5 PLC | 第47-48页 |
| 3.6.6 人机界面(触摸屏) | 第48-49页 |
| 3.6.7 电气控制系统的特点 | 第49页 |
| 3.7 小结 | 第49-51页 |
| 第四章 InP高压单晶炉热场设计 | 第51-73页 |
| 4.1 石墨热场应用于InP单晶炉的数值模拟 | 第51-59页 |
| 4.1.1 数值模拟 | 第51-53页 |
| 4.1.2 InP材料的物理参数 | 第53-54页 |
| 4.1.3 模拟过程 | 第54-56页 |
| 4.1.4 模拟结果分析 | 第56-59页 |
| 4.2 石墨热场应用于InP单晶炉晶体生长 | 第59-60页 |
| 4.3 碳碳(C/C)复合材料 | 第60-63页 |
| 4.3.1 C/C复合材料的特性及应用 | 第61页 |
| 4.3.2 C/C复合材料热场 | 第61-63页 |
| 4.3.3 C/C热场材料技术指标 | 第63页 |
| 4.4 InP单晶炉C/C热场结构设计 | 第63-69页 |
| 4.4.1 C/C热场结构设计路线 | 第64-66页 |
| 4.4.2 C/C热场部件性能试验路线 | 第66-67页 |
| 技术成果 | 第67-69页 |
| 4.5 应用C/C热场的模拟及晶体生长 | 第69-72页 |
| 4.6 小结 | 第72-73页 |
| 第五章 应用C/C热场的InP单晶炉实验研究 | 第73-89页 |
| 5.1 磷注入合成工艺控制 | 第73-79页 |
| 5.1.1 磷注入合成温度控制 | 第73页 |
| 5.1.2 一、二泡合成时熔体温度选择 | 第73-76页 |
| 5.1.3 磷泡加热功率控制 | 第76-78页 |
| 5.1.4 磷泡插入深度 | 第78-79页 |
| 5.2 晶体等直径生长工艺控制 | 第79-84页 |
| 5.2.1 放肩与等径时的晶位 | 第81-83页 |
| 5.2.2 埚升时的埚位 | 第83页 |
| 5.2.3 收尾 | 第83-84页 |
| 5.3 引晶及放肩时的数值模拟分析 | 第84-85页 |
| 5.4 C/C热场InP单晶炉多晶实验及单晶生长 | 第85-88页 |
| 5.5 小结 | 第88-89页 |
| 第六章 C/C工艺热场下单晶的质量检测及缺陷形成分析 | 第89-108页 |
| 6.1 晶体的物理参数 | 第89页 |
| 6.2 XRD摇摆曲线半高宽 | 第89-92页 |
| 6.3 位错分析 | 第92-96页 |
| 6.3.1 位错坑形貌 | 第93-94页 |
| 6.3.2 不同热场条件下的位错分布 | 第94页 |
| 6.3.3 位错与应力的关系及热场优化效果 | 第94-96页 |
| 6.4 直径变化对位错及应力的影响 | 第96-97页 |
| 6.5 InP晶体内部位错分布的各向异性 | 第97-98页 |
| 6.6 熔体的配比度对位错的影响 | 第98-99页 |
| 6.7 气孔控制 | 第99-100页 |
| 6.8 孪晶控制 | 第100-107页 |
| 6.8.1 孪晶产生机理及减少孪晶的技术 | 第100-103页 |
| 6.8.2 孪晶的影响因素 | 第103-106页 |
| 6.8.3 抑制孪晶的方法 | 第106-107页 |
| 6.9 小结 | 第107-108页 |
| 第七章 全文总结 | 第108-110页 |
| 综述 | 第110-135页 |
| 第八章 InP单晶装备及技术发展 | 第111-135页 |
| 8.1 晶体生长方法及Cz单晶炉的发展现状 | 第111-130页 |
| 8.1.1 晶体生长方法 | 第111-112页 |
| 8.1.2 Cz单晶技术 | 第112-116页 |
| 8.1.3 高压单晶炉 | 第116-126页 |
| 8.1.4 LEC晶体生长过程的直径自动控制 | 第126-127页 |
| 8.1.5 数值模拟与晶体生长 | 第127-130页 |
| 8.2 InP生长技术 | 第130-135页 |
| 8.2.1 InP单晶制备方法 | 第130-132页 |
| 8.2.2 InP单晶生长技术 | 第132-135页 |
| 市场分析报告 | 第135-157页 |
| 第九章 磷化铟单晶材料及装备市场分析 | 第136-157页 |
| 9.1 磷化铟行业发展现状 | 第136-143页 |
| 9.1.1 全球磷化铟行业发展现状 | 第136-138页 |
| 9.1.2 我国磷化铟材料的发展现状 | 第138-139页 |
| 9.1.3 我国磷化铟材料装备现状 | 第139-140页 |
| 9.1.4 我国磷化铟材料装备发展方向 | 第140-143页 |
| 9.2 磷化铟行业市场分析 | 第143-146页 |
| 9.2.1 中国磷化铟行业市场供需分析 | 第143-145页 |
| 9.2.2 中国磷化铟行业价格分析 | 第145-146页 |
| 9.3 中国磷化铟产业链重点企业 | 第146-154页 |
| 9.4 磷化铟行业发展前景 | 第154-156页 |
| 9.4.1 中国磷化铟行业市场预测 | 第155页 |
| 9.4.2 中国磷化铟行业技术发展方向 | 第155-156页 |
| 9.5 结论 | 第156-157页 |
| 参考文献 | 第157-172页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第172-174页 |
| 致谢 | 第174-175页 |