| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 GaAs/Si的研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 研究内容及意义 | 第12-15页 |
| 1.3 论文结构安排 | 第15-16页 |
| 1.4 论文创新点 | 第16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 图形衬底GaAs/Si材料概述 | 第19-26页 |
| 2.1 高宽比捕获 | 第20-21页 |
| 2.1.1 高宽比捕获的原理及机制 | 第20页 |
| 2.1.2 高宽比捕获的研究现状 | 第20-21页 |
| 2.1.3 高宽比捕获的发展趋势 | 第21页 |
| 2.2 侧向外延 | 第21-23页 |
| 2.2.1 侧向外延的原理及机制 | 第21-22页 |
| 2.2.2 侧向外延的研究现状 | 第22页 |
| 2.2.3 侧向外延的发展趋势 | 第22-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第三章 热应力理论基础及研究方法 | 第26-36页 |
| 3.1 热应力理论基础 | 第26-28页 |
| 3.1.1 弹性理论基础 | 第26-27页 |
| 3.1.2 热失配应变及应力分析 | 第27-28页 |
| 3.2 热应力表征方法 | 第28-31页 |
| 3.2.1 光致发光谱(PL) | 第28-29页 |
| 3.2.2 拉曼光谱 | 第29-30页 |
| 3.2.3 X射线衍射技术(XRD) | 第30-31页 |
| 3.3 热应力计算方法 | 第31-34页 |
| 3.3.1 解析计算方法 | 第32-34页 |
| 3.3.2 有限元法数值计算 | 第34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第四章 有限元法数值计算 | 第36-43页 |
| 4.1 有限元法基础 | 第36页 |
| 4.2 热应力问题的有限元解法 | 第36-38页 |
| 4.3 有限元法数值计算软件 | 第38-39页 |
| 4.4 有限元法数值计算的准确性验证 | 第39-41页 |
| 4.5 本章小结 | 第41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第五章 GaAs/Si材料的热应力分布及优化 | 第43-54页 |
| 5.1 平面衬底GaAs/Si材料的热应力分布 | 第43-44页 |
| 5.2 图形衬底GaAs/Si材料的热应力分布 | 第44-48页 |
| 5.3 图形衬底GaAs/Si材料的结构参数的优化 | 第48-52页 |
| 5.3.1 掩膜厚度对图形衬底GaAs/Si材料热应力分布的影响 | 第48-49页 |
| 5.3.2 窗口宽度对图形衬底GaAs/Si材料热应力分布的影响 | 第49-50页 |
| 5.3.3 掩膜宽度对图形衬底GaAs/Si材料热应力分布的影响 | 第50-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第六章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 6.1 总结 | 第54-55页 |
| 6.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第58页 |
