| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-49页 |
| 1.1 二维材料的崛起 | 第10-14页 |
| 1.2 二维Ⅳ-Ⅵ族半导体材料的研究现状 | 第14-46页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第46-49页 |
| 2 利用高质量的超薄SnSe_2纳米片构筑高性能光电器件 | 第49-75页 |
| 2.1 引言 | 第49-50页 |
| 2.2 实验部分 | 第50-57页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第57-73页 |
| 2.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 3 利用栅压调控SnS_2光电器件性能 | 第75-97页 |
| 3.1 引言 | 第75-76页 |
| 3.2 实验部分 | 第76-78页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第78-95页 |
| 3.4 本章小结 | 第95-97页 |
| 4 构筑肖特基接触提高SnS纳米片/带光电器件性能 | 第97-111页 |
| 4.1 引言 | 第97页 |
| 4.2 实验部分 | 第97-100页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第100-110页 |
| 4.4 本章小结 | 第110-111页 |
| 5 外延生长构筑SnSe_2/MoS_2异质结并提高器件光电性能 | 第111-134页 |
| 5.1 引言 | 第111-112页 |
| 5.2 实验部分 | 第112-115页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第115-133页 |
| 5.4 本章小结 | 第133-134页 |
| 6 机械转移构筑高性能p-WSe_2/n-SnS_2光电二极管 | 第134-144页 |
| 6.1 引言 | 第134页 |
| 6.2 实验部分 | 第134-136页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第136-143页 |
| 6.4 本章小结 | 第143-144页 |
| 7 全文总结与展望 | 第144-148页 |
| 7.1 总结 | 第144-146页 |
| 7.2 展望 | 第146-148页 |
| 致谢 | 第148-150页 |
| 参考文献 | 第150-195页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表论文和奖励情况 | 第195-197页 |
