| 摘要 | 第13-18页 |
| ABSTRACT | 第18-24页 |
| 符号表 | 第25-26页 |
| 第一章 绪论 | 第26-44页 |
| 1-1 半导体材料的研究背景 | 第26-27页 |
| 1-2 半导体材料的基本特性 | 第27-32页 |
| 1-2-1 Ⅲ族氮化物半导体的基本特性 | 第27-31页 |
| 1-2-1-1 基本结构 | 第27-28页 |
| 1-2-1-2 基本性质 | 第28-29页 |
| 1-2-1-3 能带结构 | 第29-31页 |
| 1-2-2 Ⅱ-Ⅵ族ZnTe半导体的基本特性 | 第31-32页 |
| 1-2-2-1 基本结构 | 第31页 |
| 1-2-2-2 基本性质 | 第31-32页 |
| 1-2-2-3 能带结构 | 第32页 |
| 1-3 选题依据 | 第32-37页 |
| 1-3-1 InGaN/GaN基LED在发光效率方面所存在的问题 | 第32-36页 |
| 1-3-1-1 InGaN/GaN多量子阱基LED结构 | 第33-34页 |
| 1-3-1-2 InGaN/GaN多量子阱中的QCSE | 第34-36页 |
| 1-3-1-3 InGaN/GaN多量子阱中的相分离及局域效应 | 第36页 |
| 1-3-2 AlGaN/GaN异质结在电学应用中所存在的问题 | 第36-37页 |
| 1-3-3 ZnTe异质外延所面临的问题 | 第37页 |
| 1-4 本论文的工作及主要内容 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-44页 |
| 第二章 半导体中的基本光学过程 | 第44-54页 |
| 2-1 光吸收过程 | 第44-48页 |
| 2-1-1 本征吸收 | 第44-46页 |
| 2-1-2 激子吸收 | 第46-47页 |
| 2-1-3 晶格振动吸收 | 第47页 |
| 2-1-4 杂质吸收 | 第47-48页 |
| 2-2 光辐射过程 | 第48-52页 |
| 2-2-1 带间跃迁发光 | 第48-49页 |
| 2-2-2 激子发光 | 第49-51页 |
| 2-2-3 施主-受主对(DAP)复合发光 | 第51-52页 |
| 2-2-4 导带至受主(e-A)和价带到施主(h-D)跃迁发光 | 第52页 |
| 2-3 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第三章 材料的制备和表征 | 第54-66页 |
| 3-1 金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长技术 | 第54-59页 |
| 3-1-1 MOCVD简介 | 第54-56页 |
| 3-1-2 衬底材料的选择 | 第56-58页 |
| 3-1-3 外延生长模式 | 第58-59页 |
| 3-2 材料的表征方法 | 第59-63页 |
| 3-2-1 光致发光(PL) | 第59-60页 |
| 3-2-2 电致发光(EL) | 第60-61页 |
| 3-2-3 透射电子显微镜(TEM) | 第61-62页 |
| 3-2-4 霍尔(Hall)效应测试仪 | 第62-63页 |
| 3-3 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第四章 激发功率对相分离InGaN/GaN多量子阱PL温度依赖性的影响 | 第66-80页 |
| 4-1 样品制备与测试过程 | 第66-67页 |
| 4-2 实验结果与讨论 | 第67-75页 |
| 4-2-1 样品结构表征 | 第67-68页 |
| 4-2-2 样品PL谱特征分析 | 第68-70页 |
| 4-2-3 低功率下PL强度、峰位能量和线宽的温度依赖性 | 第70-73页 |
| 4-2-4 高功率下PL强度、峰位能量和线宽的温度依赖性 | 第73-75页 |
| 4-3 本章小结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 第五章 铟组份和阱宽对InGaN/GaN多量子阱基LED EL的综合影响 | 第80-92页 |
| 5-1 样品制备和测试过程 | 第80-81页 |
| 5-2 实验结果与讨论 | 第81-88页 |
| 5-2-1 铟组份和阱宽对EL谱特征的影响 | 第82页 |
| 5-2-2 高铟组份和窄阱宽样品EL谱的温度和注入电流依赖性 | 第82-84页 |
| 5-2-3 低铟组份和宽阱宽样品EL谱的温度和注入电流依赖性 | 第84-86页 |
| 5-2-4 铟组份和阱宽对外量子效率的影响 | 第86-88页 |
| 5-3 本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-92页 |
| 第六章 GaN外延层和AlGaN/GaN异质结的光电特性研究 | 第92-104页 |
| 6-1 样品制备与测试过程 | 第92-93页 |
| 6-2 实验结果与讨论 | 第93-100页 |
| 6-2-1 GaN外延层和AlGaN/GaN异质结构的光学特性 | 第93-96页 |
| 6-2-1-1 GaN外延层的PL特性 | 第93-95页 |
| 6-2-1-2 AlGaN/GaN异质结与GaN外延层PL特性的比较 | 第95-96页 |
| 6-2-2 AlGaN垒层厚度对AlGaN/GaN异质结构光电特性的影响 | 第96-100页 |
| 6-2-2-1 AlGaN垒层厚度对AlGaN/GaN异质结PL特性的影响 | 第97-98页 |
| 6-2-2-2 AlGaN垒层厚度对AlGaN/GaN异质结电学特性的影响 | 第98-100页 |
| 6-3 本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-104页 |
| 第七章 ZnTe异质外延层和ZnTe体单晶的PL特性研究 | 第104-118页 |
| 7-1 样品制备与测试过程 | 第104-105页 |
| 7-2 实验结果与讨论 | 第105-113页 |
| 7-2-1 ZnTe异质外延层和ZnTe体单晶PL谱的激发功率依赖性 | 第105-109页 |
| 7-2-2 ZnTe异质外延层和ZnTe体单晶PL谱的温度依赖性 | 第109-113页 |
| 7-3 本章小结 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-118页 |
| 第八章 结论 | 第118-122页 |
| 致谢 | 第122-124页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术成果 | 第124-126页 |
| Paper-1 | 第126-132页 |
| Paper-2 | 第132-137页 |
| Paper-3 | 第137-143页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第143页 |
