ZnO薄膜的欧姆接触研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第10-12页 |
| ·ZnO的能带结构 | 第12-13页 |
| ·ZnO的特性及应用 | 第13-14页 |
| ·ZnO与金属的接触 | 第14页 |
| ·本文各章节内容 | 第14-16页 |
| 2 ZnO欧姆接触基本原理与测试方法 | 第16-48页 |
| ·金属和半导体接触及其能带图 | 第16-23页 |
| ·金属和半导体的功函数 | 第16-17页 |
| ·接触电势差 | 第17-20页 |
| ·表面态对势垒的影响 | 第20-23页 |
| ·金属半导体接触整流理论 | 第23-31页 |
| ·扩散理论 | 第24-27页 |
| ·热电子发射理论 | 第27-29页 |
| ·隧道电流 | 第29-31页 |
| ·欧姆接触理论 | 第31-33页 |
| ·ZnO的欧姆接触 | 第33-37页 |
| ·n-ZnO上的非合金欧姆接触 | 第34页 |
| ·n-ZnO上的合金欧姆接触 | 第34-36页 |
| ·p-ZnO的欧姆接触 | 第36-37页 |
| ·测量接触电阻率的方法 | 第37-47页 |
| ·传输线模型(TLM) | 第37-42页 |
| ·圆环形传输线模型(CTLM) | 第42-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 3 ITO电极与n-ZnO的欧姆接触 | 第48-57页 |
| ·薄膜制备技术 | 第48-50页 |
| ·MOCVD技术 | 第48-49页 |
| ·射频磁控溅射技术 | 第49-50页 |
| ·光刻与剥离技术 | 第50-52页 |
| ·ITO/n-ZnO欧姆接触制备 | 第52-53页 |
| ·不同退火温度对电极的影响 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 4 Al及Al/Au与n-ZnO：Al的欧姆接触 | 第57-63页 |
| ·采用射频磁控溅射方法制备n-ZnO：Al薄膜 | 第57页 |
| ·Al电极的制备及退火研究 | 第57-60页 |
| ·退火处理 | 第57页 |
| ·不同温度退火后的I-V曲线 | 第57-59页 |
| ·不同温度退火后的电极表面形貌 | 第59-60页 |
| ·Al/Au电极的制备及退火研究 | 第60-62页 |
| ·退火处理 | 第60页 |
| ·不同温度退火后的I-V曲线 | 第60-61页 |
| ·不同温度退火后的电极表面形貌 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
