| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 1 研究背景和意义 | 第11-25页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·ZnO 薄膜的性质 | 第12-15页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第12-13页 |
| ·ZnO 的光电特性 | 第13-14页 |
| ·ZnO 的其他性质 | 第14-15页 |
| ·ZnO 薄膜的缺陷 | 第15-16页 |
| ·ZnO 的点缺陷 | 第15-16页 |
| ·ZnO 的线缺陷和堆垛层错 | 第16页 |
| ·ZnO 薄膜的应用 | 第16-17页 |
| ·ZnO 光电器件方面的应用 | 第16-17页 |
| ·ZnO 在压敏和气敏器件方面的应用 | 第17页 |
| ·ZnO 薄膜的掺杂及其研究进展 | 第17-22页 |
| ·ZnO 的 n 型掺杂 | 第17页 |
| ·ZnO 的 p 型掺杂 | 第17-22页 |
| ·本文的立题依据、研究内容及创新点 | 第22-25页 |
| ·立题依据 | 第22-23页 |
| ·研究内容 | 第23-24页 |
| ·本文的创新点 | 第24-25页 |
| 2 薄膜的制备 | 第25-35页 |
| ·ZnO 薄膜制备方法 | 第25-28页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第25页 |
| ·溶胶凝胶（Sol-Gel） | 第25-26页 |
| ·分子束外延(MBE)16 | 第26页 |
| ·真空蒸发法16 | 第26-27页 |
| ·激光脉冲沉积(PLD)法 | 第27页 |
| ·喷雾热解（SprayPyrolysis） | 第27-28页 |
| ·溅射镀膜发 | 第28页 |
| ·射频磁控溅射的原理 | 第28-32页 |
| ·实验设备 | 第28页 |
| ·射频溅射 | 第28-30页 |
| ·磁控溅射 | 第30-31页 |
| ·射频磁控溅射 | 第31-32页 |
| ·薄膜的制备 | 第32-34页 |
| ·靶材及衬底的制备 | 第32-33页 |
| ·薄膜的沉寂过程 | 第33页 |
| ·制备薄膜的基本参数 | 第33-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 3 N 离子注入、退火及性能表征 | 第35-45页 |
| ·离子注入的原理 | 第35-37页 |
| ·离子注入装置简介 | 第35-36页 |
| ·离子注入的特点 | 第36-37页 |
| ·离子注入的优缺点 | 第37页 |
| ·热处理(退火) | 第37-38页 |
| ·薄膜的性能表征 | 第38-43页 |
| ·X射线衍射（XRD）分析 | 第38-39页 |
| ·霍尔(Hall)测试 | 第39-41页 |
| ·X光电子能谱基本原理 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-45页 |
| 4 退火对N离子注入ZnO:Al薄膜p型转变的影响 | 第45-52页 |
| ·退火对薄膜结构的影响 | 第45-46页 |
| ·退火对薄膜电学性能的影响 | 第46-49页 |
| ·不同Al含量的电学参数 | 第46页 |
| ·ZnO:Al-N薄膜的电学性能 | 第46-49页 |
| ·p型ZnO:Al-N薄膜的稳定性 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 5 ZnO:Al-N薄膜的特性分析 | 第52-61页 |
| ·ZnO:Al-N薄膜的XPS分析 | 第52-57页 |
| ·ZnO:Al-N薄膜的PL谱分析 | 第57-59页 |
| ·ZnO:Al-N薄膜的Raman谱分析 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 6 结论与展望 | 第61-63页 |
| ·主要结论 | 第61-62页 |
| ·后续工作与展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附录 | 第70页 |