摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第一章 绪论 | 第10-21页 |
·半导体材料的发展 | 第10页 |
·ZnS 及其掺杂材料的研究进展 | 第10-13页 |
·ZnS 基本结构 | 第10-11页 |
·ZnS 及其掺杂材料国内外实验研究现状 | 第11-12页 |
·ZnS 及其掺杂材料国内外理论研究现状 | 第12-13页 |
·第一性原理计算的理论基础和方法 | 第13-20页 |
·第一性原理计算(First-principles calculations) | 第13-14页 |
·密度泛函理论(Density Funtion Theory) | 第14-19页 |
·CASTEP 软件介绍 | 第19-20页 |
·本论文的主要研究内容 | 第20-21页 |
第二章 ZnS 点缺陷的电子结构和光学性质计算与实验验证 | 第21-35页 |
·引言 | 第21页 |
·实验部分 | 第21-25页 |
·理论模型与计算方法 | 第21-24页 |
·ZnS 晶体的制备 | 第24-25页 |
·ZnS 及其存在本征缺陷时的电子结构分析 | 第25-29页 |
·理想配比 ZnS 的电子结构 | 第25-26页 |
·ZnS 的 Mulliken 布居分析 | 第26-27页 |
·具有 S 空位(V_s)的 ZnS 晶体的电子结构 | 第27-28页 |
·具有 Zn 空位(V_(Zn))的 ZnS 晶体的电子结构 | 第28-29页 |
·ZnS 及其存在本征缺陷时的介电常数以及光学性质 | 第29-34页 |
·ZnS 及其存在本征缺陷时的复介电函数 | 第30-31页 |
·ZnS 及其存在本征缺陷时的吸收率与荧光光谱 | 第31-33页 |
·ZnS 及其存在本征缺陷时的折射率、反射率和能量损耗函数分析 | 第33-34页 |
·本章小结 | 第34-35页 |
第三章 Zn_(1-x)Cd_xS 三元混晶的电子结构及光学性质计算与实验验证 | 第35-46页 |
·引言 | 第35-36页 |
·实验部分 | 第36-37页 |
·模型构建与计算方法 | 第36页 |
·Zn_(1-x)Cd_xS 三元混晶的制备 | 第36-37页 |
·Zn_(1-x)Cd_xS 三元混晶的电子结构 | 第37-41页 |
·Zn_(1-x)Cd_xS 三元混晶的光学性质 | 第41-44页 |
·Zn_(1-x)Cd_xS 三元混晶的复介电函数 | 第41页 |
·Zn_(1-x)Cd_xS 三元混晶的吸收光谱与荧光光谱 | 第41-44页 |
·Zn_(1-x)Cd_xS 三元混晶的折射率、反射率和能量损耗函数分析 | 第44页 |
·本章小结 | 第44-46页 |
第四章 Cu、Al 共掺 ZnS 的电子结构和光学性质计算与实验验证 | 第46-56页 |
·引言 | 第46页 |
·实验部分 | 第46-47页 |
·理论模型与计算方法 | 第46-47页 |
·Cu,Al 共掺 ZnS 晶体的制备 | 第47页 |
·Cu、Al 共掺的 ZnS 的电子结构 | 第47-51页 |
·Cu 掺杂 ZnS 的能带结构和态密度 | 第48-49页 |
·Al 掺杂 ZnS 的能带结构和态密度 | 第49页 |
·Cu 和 Al 共掺的 ZnS 能带结构与态密度 | 第49-51页 |
·Cu、Al 共掺的 ZnS 的光学性质 | 第51-55页 |
·荧光光谱的分析 | 第51-53页 |
·不同掺杂对 ZnS 基质寿命的影响 | 第53-55页 |
·本章小结 | 第55-56页 |
第五章 表面修饰对 ZnS 发光性能的影响 | 第56-64页 |
·引言 | 第56页 |
·TGA、PVA 包覆 ZnS 的制备及其荧光特性 | 第56-59页 |
·巯基乙酸和聚乙烯醇的特性和应用 | 第56-57页 |
·实验过程 | 第57页 |
·结果与讨论 | 第57-59页 |
·r-巯丙基三甲基硅烷(MPS)包覆 ZnS 的制备及其荧光性能 | 第59-63页 |
·MPS 的特性与应用 | 第59页 |
·实验过程 | 第59-60页 |
·结果与讨论 | 第60-63页 |
·本章小结 | 第63-64页 |
第六章 全文总结与展望 | 第64-66页 |
·全文总结 | 第64-65页 |
·今后工作展望 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-72页 |
发表论文和科研情况说明 | 第72-73页 |
致谢 | 第73-74页 |