| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物材料 | 第10-15页 |
| §1.1.1 Ⅲ族氮化物材料和器件的发展历程 | 第12-13页 |
| §1.1.2 氮化物半导体材料的MOCVD生长技术 | 第13-15页 |
| §1.2 高分辨X射线衍射 | 第15-18页 |
| §1.2.1 高分辨X射线衍射的发展与原理 | 第15-18页 |
| §1.2.2 PANalytical X'Pert-Pro MRD介绍 | 第18页 |
| §1.3 扫描隧道电子显微镜(SEM)原子力显微镜(AFM)阴极荧光联合分析(CL) | 第18-19页 |
| §1.4 拉曼散射技术 | 第19-20页 |
| §1.5 本文主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 极性面c面InGaN/GaN量子阱结构的生长与表征 | 第21-42页 |
| §2.1 引言 | 第21页 |
| §2.2 InGaN/GaN异质结结构的生长及HRXRD分析 | 第21-26页 |
| §2.2.1 InGaN/GaN薄膜生长 | 第22页 |
| §2.2.2 InGaN/GaN异质结结构组分测定及质量评价 | 第22-26页 |
| §2.3 InGaN/GaN异质结薄膜表面形貌及厚度 | 第26-30页 |
| §2.4 InGaN/GaN异质结生长方式与残余应力的拉曼散射研究 | 第30-35页 |
| §2.4.1 InGaN/GaN异质结样品弛豫型与假晶型的划分 | 第31-32页 |
| §2.4.2 弛豫型与假晶型样品的声子振动模式与残余应力 | 第32-35页 |
| §2.5 InGaN/GaN蓝光多量子阱结构与结构参数 | 第35-41页 |
| §2.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 极性面c面InGaN/GaN异质结结构缺陷与光学特性 | 第42-54页 |
| §3.1 引言 | 第42页 |
| §3.2 InGaN/GaN异质结薄膜材料形貌中的三种缺陷坑 | 第42-47页 |
| §3.2.1 阴极荧光联合分析系统(CL)与SEM形貌 | 第43-44页 |
| §3.2.2 三种缺陷坑的分类与区别 | 第44-47页 |
| §3.3 三种缺陷坑的形貌性质与发光性质 | 第47-53页 |
| §3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 PECVD法氮化硅薄膜生长工艺研究 | 第54-64页 |
| §4.1 等离子体增强化学气相沉积法(PECVD) | 第54-56页 |
| §4.2 薄膜生长速率与各个参数的关系 | 第56-60页 |
| §4.3 薄膜生长条件优化 | 第60-63页 |
| §4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 研究生阶段发表论文、参加会议和专利 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
