ZnO基异质结构及其场效应器件的制备与性质
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·ZnO材料概况与基本性质 | 第8-11页 |
| ·ZnO制备与掺杂的研究进展 | 第11-15页 |
| ·ZnO薄膜与体单晶制备 | 第11-13页 |
| ·ZnO的n型与p型掺杂 | 第13-15页 |
| ·ZnO基器件与结构研究进展 | 第15-21页 |
| ·ZnO基LED | 第16-18页 |
| ·ZnO基光电二极管(PD) | 第18-20页 |
| ·ZnO基透明薄膜晶体管(TFT) | 第20-21页 |
| ·论文主要研究内容和结构 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-24页 |
| 第二章 ZnO光学与电学性质测量方法 | 第24-34页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第24-26页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| ·C-V特性测量 | 第27-30页 |
| ·霍尔效应测量 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 ZnO基薄膜器件基本工艺 | 第34-54页 |
| ·光刻工艺 | 第34-42页 |
| ·湿法腐蚀与ICP刻蚀 | 第42-45页 |
| ·金属电极与合金化 | 第45-46页 |
| ·ZnO基器件工艺流程 | 第46-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第四章 ZnMgO/ZnO异质结研究与器件性能 | 第54-69页 |
| ·ZnMgO/ZnO异质结二维电子气研究 | 第56-61页 |
| ·ZnMgO/ZnO异质结生长 | 第57-58页 |
| ·二维电子气载流子浓度分布 | 第58-60页 |
| ·二维电子气迁移率随温度变化 | 第60-61页 |
| ·场效应管制备与性能测量 | 第61-66页 |
| ·ZnMgO/ZnO异质结场效应管制备 | 第61-62页 |
| ·场效应管电学性质测量与分析 | 第62-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 论文发表情况 | 第71-72页 |
