| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物概述及其发展历史 | 第9-13页 |
| §1.2 Ⅲ族氮化物的研究前沿及热点问题 | 第13-15页 |
| §1.2.1 MIS结构InGaN光电探测器 | 第13-14页 |
| §1.2.2 金属纳米颗粒的自组装 | 第14-15页 |
| §1.3 本文研究主要内容 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 MIS结构电流传输机制 | 第18-25页 |
| §2.1 MIS结构电流传输原理 | 第18-23页 |
| §2.1.1 肖特基效应(热电子发射) | 第19-20页 |
| §2.1.2 直接隧穿导电机制 | 第20页 |
| §2.1.3 Fowler-Nordheim导电机制 | 第20页 |
| §2.1.4 Frenkel-Poole导电机制 | 第20-21页 |
| §2.1.5 Hopping导电机制 | 第21页 |
| §2.1.6 空间电荷限制电流(Space Charge Limited Current) | 第21-23页 |
| 本章小结 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-25页 |
| 第三章 MIS结构InGaN光电探测器的制备 | 第25-34页 |
| §3.1 InGaN光电探测器的制备步骤 | 第25-30页 |
| §3.1.1 半导体光刻工艺 | 第26-28页 |
| §3.1.2 接触电极制备 | 第28-29页 |
| §3.1.3 绝缘层的制备 | 第29-30页 |
| §3.2 超声波压焊 | 第30-32页 |
| 本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第四章 InGaN MIS结构光电探测器的电流传输机制 | 第34-42页 |
| 本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第五章 金属纳米颗粒的自组装 | 第42-54页 |
| Ni、Au、Al纳米颗粒的自组装 | 第44-52页 |
| 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 总结与展望 | 第54-55页 |
| 硕士期间发表的论文和参加的会议 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
