| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| ·铁电材料与半导体异质结构的研究现状 | 第11-17页 |
| ·铁电材料BaTiO_3 的研究现状 | 第11-13页 |
| ·半导体材料GaN 的研究现状 | 第13-14页 |
| ·铁电/半导体异质结构的研究现状 | 第14-17页 |
| ·本课题的研究目的、意义及本文工作 | 第17-18页 |
| 第二章 BaTiO_3表面的电子结构 | 第18-30页 |
| ·BaTiO_3 体结构 | 第18-20页 |
| ·BaTiO_3 表面结构 | 第20-28页 |
| ·BaTiO_3（001）非极性面 | 第20-24页 |
| ·BaTiO_3（111）极性面 | 第24-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 GaN 表面的电子结构 | 第30-48页 |
| ·GaN 体结构 | 第30-36页 |
| ·3C-GaN 体结构 | 第31-33页 |
| ·2H-GaN 体结构 | 第33-36页 |
| ·GaN 表面结构 | 第36-46页 |
| ·3C-GaN（001）表面结构 | 第36-40页 |
| ·3C-GaN（110）表面结构 | 第40-43页 |
| ·2H-GaN（0001）、（000-1）表面结构 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 BaTiO_3/GaN 异质结构的电子结构 | 第48-62页 |
| ·BaTiO_3/GaN 异质结构 | 第48-61页 |
| ·BaTiO_3（001）/3C-GaN（001）异质结 | 第49-54页 |
| ·BaTiO_3（001）/3C-GaN（001）界面的原子结构 | 第49-51页 |
| ·BaTiO_3（001）/3C-GaN（001）异质结的电子特性 | 第51-54页 |
| ·BaTiO_3（111）/2H-GaN（0001）异质结 | 第54-61页 |
| ·BaTiO_3（111）/2H-GaN（0001）界面的原子结构 | 第54-58页 |
| ·BaTiO_3（111）/2H-GaN（0001）异质结的电子特性 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 BaTiO_3/GaN 异质结构的物理参数模拟 | 第62-71页 |
| ·前言 | 第62页 |
| ·计算方法 | 第62-64页 |
| ·应变状态下的电子有效质量计算方法 | 第63页 |
| ·BaTiO_3/GaN 异质结构的带阶计算方法 | 第63-64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-69页 |
| ·应变状态下电子的有效质量 | 第64-68页 |
| ·BaTiO_3/GaN 异质结的带阶 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 极化和应变调制铁电/GaN 异质结构的二维电子气特性研究 | 第71-83页 |
| ·前言 | 第71页 |
| ·计算方法——铁电/半导体异质结构层间交换耦合模型 | 第71-74页 |
| ·结果与讨论 | 第74-81页 |
| ·铁电/GaN 结构 | 第74-77页 |
| ·铁电极化强度的影响 | 第74-75页 |
| ·介电常数的影响 | 第75-76页 |
| ·不同栅压下的影响 | 第76-77页 |
| ·铁电/AlGaN/GaN 结构 | 第77-79页 |
| ·铁电层厚度的影响 | 第78页 |
| ·铁电极化强度的影响 | 第78-79页 |
| ·AlGaN/GaN/铁电双异质结结构 | 第79-81页 |
| ·不考虑铁电衬底作用下GaN 外延层的应变（完全弛豫），铁电极化对界面能带和载流子分布的影响 | 第79-80页 |
| ·不考虑铁电衬底作用下GaN 外延层的应变（完全弛豫），GaN 外延层厚度对界面能带和载流子分布的影响 | 第80-81页 |
| ·考虑铁电衬底作用下GaN 外延层的应变 | 第81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第七章 结论 | 第83-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第91-92页 |
