| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·GaN 基材料的简介 | 第9-10页 |
| ·GaN 基肖特基接触研究进展 | 第10-11页 |
| ·GaN 基肖特基接触的研究现状 | 第10-11页 |
| ·GaN 肖特基接触在光电探测器领域的应用 | 第11页 |
| ·本论文主要内容及其研究意义 | 第11-13页 |
| 第二章 金属半导体接触的基本理论 | 第13-20页 |
| ·金属和半导体接触的基本理论 | 第13-15页 |
| ·金属和半导体的功函数 | 第13-14页 |
| ·接触电势差 | 第14页 |
| ·表面态对接触势垒的影响 | 第14-15页 |
| ·金属-半导体接触分类 | 第15-16页 |
| ·欧姆接触 | 第15-16页 |
| ·肖特基接触 | 第16页 |
| ·肖特基接触的势垒 | 第16-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 Ni/Au-GaN 肖特基接触的仿真研究 | 第20-44页 |
| ·仿真的目的和意义 | 第20页 |
| ·仿真采用的器件结构以及仿真理论模型的选择 | 第20-22页 |
| ·仿真采用的器件结构 | 第20-22页 |
| ·仿真的结果及其分析 | 第22-25页 |
| ·不同掺杂浓度的GaN 体材料肖特基接触特性仿真结果分析 | 第22-23页 |
| ·同一掺杂浓度不同温度GaN 肖特基器件I-V 特性仿真结果分析 | 第23-24页 |
| ·同一掺杂浓度不同界面层厚度GaN 肖特基器件I-V 特性仿真结果分析 | 第24-25页 |
| ·针对仿真数据提出优化肖特基器件的性能的方法 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第四章Ni/Au-GaN 肖特基接触实验研究 | 第27页 |
| ·器件结构和工艺过程 | 第27-29页 |
| ·数据处理方法 | 第29-31页 |
| ·I-V 测试提取势垒高度和理想因子的方法 | 第29-30页 |
| ·C-V 测试提取势垒高度和掺杂浓度ND 的方法 | 第30页 |
| ·对传统的数据处理方式进行的修正 | 第30-31页 |
| ·器件的测试和数据处理 | 第31-43页 |
| ·GaN 衬底中Si 的掺杂浓度对肖特基接触电学特性的影响 | 第31-35页 |
| ·基于I-V-T 和C-V-T 的GaN 肖特基接触电流输运机理研究 | 第35-37页 |
| ·界面氧化层厚度对GaN 肖特基势垒的影响 | 第37-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 Ni/Au-AlGaN/GaN 肖特基接触实验研究 | 第44-50页 |
| ·器件的构建和器件结构 | 第44-45页 |
| ·器件的测试和数据处理 | 第45-49页 |
| ·GaN 材料中Al 组分对肖特基接触的影响 | 第45-46页 |
| ·温度对AlGaN 肖特基接触的影响 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第六章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第56-57页 |
